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  1. GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

  2. 采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：515kb
    • 提供者：weixin_38649091