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  1. GAAS MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系.PDF

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  3. 所属分类：专业指导

  1. GaAs太阳电池帽层腐蚀研究_GaAs_AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀.pdf

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  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-21
    • 文件大小：237kb
    • 提供者：youngwt

  1. GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析

  2. GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析，王荣，刘运宏，引入移位损伤剂量，对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。先计算电子在电池中的非电离能损（non-ionizing energy loss,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：317kb
    • 提供者：weixin_38717450

  1. GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析

  2. GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析，陈文丽，李军帅，本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示，GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性，与已有的实验数据相�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：678kb
    • 提供者：weixin_38625164

  1. N型多孔GaAs的表面形貌，反射率和直流电学特性分析

  2. N型多孔GaAs的表面形貌，反射率和直流电学特性分析，关健，刘维峰，本文主要介绍了多孔GaAs在不同溶液下的刻蚀机理与表面形貌差异，发现了HCL溶液中和HF溶液中刻蚀机理，刻蚀孔的孔径形貌有很大差别。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-20
    • 文件大小：792kb
    • 提供者：weixin_38690095

  1. 用于SNOM的GaAs微探尖的选择剥离

  2. 用于SNOM的GaAs微探尖的选择剥离，梁秀萍，朱锦霞，介绍一种用于扫描近场光学显微镜（SNOM）传感头的GaAs微探尖的选择剥离技术。通过对GaAs微探尖/AlGaAs层/GaAs衬底结构中SiO2掩膜窗口大小�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：567kb
    • 提供者：weixin_38618094

  1. 利用可旋转式石墨舟生长金字塔状GaAs微探尖

  2. 利用可旋转式石墨舟生长金字塔状GaAs微探尖，朱锦霞，梁秀萍，本文给出了一种用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术(SNOM)的GaAs微探尖的生长方式。该方式利用可旋转式石墨舟，通过旋转方式，�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：684kb
    • 提供者：weixin_38558246

  1. 液相外延生长GaAs微探尖的质量改进

  2. 液相外延生长GaAs微探尖的质量改进，许育波，梁秀萍，本文对比了两种在选择性液相外延生长GaAs微探尖结束后使生长液与衬底脱离的方法：平推法和旋转石墨舟法。利用扫描电子显微镜对两�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：828kb
    • 提供者：weixin_38525735

  1. In0.5Ga0.5As/GaAs(001) 薄膜临界厚度的测量

  2. In0.5Ga0.5As/GaAs(001) 薄膜临界厚度的测量，刘珂，周清， 本文使用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)设备在GaAs(001)衬底上生长了In0.5Ga0.5As量子点，制备过程中使用反射式高能电子衍射仪(high-energy

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：517kb
    • 提供者：weixin_38519763

  1. GaAs中轻、重空穴对电子自旋相干动力学的影响

  2. GaAs中轻、重空穴对电子自旋相干动力学的影响，滕利华，牟丽君，研究了9.6K低温下、本征GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学的浓度依赖，发现当光子能量为1.57eV, 载流子浓度较大时电子自旋相干量子�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：387kb
    • 提供者：weixin_38622149

  1. 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺

  2. 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺，李玉斌，王琦，本文采用电子束光刻技术及反应离子刻蚀技术在GaAs（100）衬底上制作了深宽比>1的（深宽比=槽深/槽宽）周期性的SiO2纳米槽。这种纳米图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：229kb
    • 提供者：weixin_38721119

  1. GaAs体单晶生长概述2

  2. 高频微电子学和光电子学是GaAs材料应用的两个重要的分支，单晶生长技术也相应分开。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-08-20
    • 文件大小：83kb
    • 提供者：sungong2009

  1. GaAs体单晶生长概述

  2. 高频微电子学和光电子学是GaAs材料应用的两个重要的分支，单晶生长技术也相应分开。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-08-20
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：sungong2009

  1. GaAs单晶生长综述

  2. GaAs的两个关键应用领域是高频微电子学和光电子学。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-08-20
    • 文件大小：76kb
    • 提供者：sungong2009

  1. GaAs太阳能电池结构的设计简介

  2. GaAs太阳能电池结构的设计简介 GaAs材料特性 单结，多结，量子GaAs电池的简介 电极设计，增透膜设计等

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-27
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：beryl0410

  1. 模拟技术中的基于GaAs工艺的可变增益功率放大器的应用设计

  2. 导读：本文根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（ MMIC）。 　　采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内，1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时，放大器的增益在5~40dB之间变化，增益控制范围达到了35 dB.将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上，面积仅为3.5 mm×2.3 m

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：232kb
    • 提供者：weixin_38653602

  1. 模拟技术中的Avago推出两款GaAs平衡低噪声放大器

  2. Avago Technologies(安华高科技)今日宣布，推出两款超低噪声、高增益并且高线性度的GaAs平衡低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)，非常适合移动网络基础设施应用。Avago的MGA-16516/17516为价格低廉、使用容易低噪声放大器系列的最新产品，可以大幅度改善移动网络基础设施应用的灵敏度和动态范围，这两款产品都拥有紧凑的尺寸安排，设计上适合作为第一级放大器使用。典型应用包括移动网络基站收发器射频卡、塔顶放大器、波形结合器、中继器以及远程/数字射频

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38691739

  1. Infineon推出带有GaAs性能的CMOS RF开关BGS12A

  2. Infineon开始量产全球首款RF开关，其硅晶片采用CMOS工艺制造，可以提供与GaAs工艺制造的RF开关相当的性能，实现了技术上的突破。到目前为止，为达到GaAs开关的性能，基于CMOS的RF开关需要采用专用的价格高很多的蓝宝石晶圆制造全新系列的第一款CMOS RF开关BGS12A采用细间距WLP封装，尺寸仅仅为0.79mm x 0.54mm，与市面上最小封装的GaAs RF开关相比，可节约60%的电路板尺寸。在很多无线产品如手机、WLAN、WiMAX、GPS导航系统、蓝牙配件或远程无线钥匙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38653694

  1. NEC电子推出业界小型薄型砷化镓（GaAs）开关IC

  2. NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备（terminal）的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。       新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38645133

  1. NEC电子推出业界最小的小型薄型砷化镓（GaAs）开关IC

  2. NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备（terminal）的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。     新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，新产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38706294
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