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  1. GaN在无掩模化学刻蚀蓝宝石衬底上生长的最新进展

  2. 本文展示了一种使用化学刻槽蓝宝石衬底的新型GaN横向外延过生长（LEO）技术。 讨论了衬底的制备，选择性生长机理和位错减少机理。 通过应用该技术，可以实现无翼倾斜的GaN LEO膜的质量提高和GaN LED的增强。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：259kb
    • 提供者：weixin_38699724