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搜索资源列表

  1. HEMT(高电子迁移率晶体管)介绍

  2. 高电子迁移率晶体管的基础知识，帮助化合物半导体的初学者了解这种新型的器件。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-12
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：oyxy1986

  1. 非线性电路模型Nonlinear HEMT Modeling Using Artificial Neural Network

  2. 非线性电路模型Nonlinear HEMT Modeling Using Artificial Neural Network

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-12
    • 文件大小：323kb
    • 提供者：cantou123

  1. ATF54143应用手册

  2. 描述HEMT晶体管ATF54143的直流、小信号、噪声特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-07-03
    • 文件大小：154kb
    • 提供者：lixitehuofenna

  1. 基于GaN Hemt同步整流Buck变换器研究

  2. 分 析 了 基 于氮 化 镓 gan高 电 子 迁移 率 晶 体 管 HEMT 同 步 整 流 buck变 换 器 的 各 部 分 损 耗，主要 损 耗 的 计 算 公 式 。 针 对 GAN同步整流 管 的 反 向 导通 特 性 ， 分 析 了 死 区 时 间 形成过 程 ，设计死 区 时 间 调 节 电 路 。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-03-22
    • 文件大小：740kb
    • 提供者：weixin_44101331

  1. 具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的新型高性能GaN基HEMT

  2. 报道了具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。 使用二维和双载流子器件仿真，我们研究了器件性能，重点是电势，电子浓度，击穿电压和跨导（gm）。 而且，将结果与AlGaN / GaN HEMT的结构进行了比较。 我们的仿真结果表明，所提出的结构增加了电子浓度，击穿电压和跨导。 并减少泄漏电流。 同样，InAlGaN中铝的摩尔分数也经过了优化，以创建性能最佳的器件。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-04
    • 文件大小：555kb
    • 提供者：weixin_38620741

  1. 基于动态负载线GaN HEMT模型的谐波调谐功放设计

  2. 基于动态负载线GaN HEMT大信号模型和负载牵引技术设计并制作了一款工作在2 GHz的高效率谐波调谐功放。在晶体管寄生参数和封装参数未知的情况下，通过负载牵引技术初步确定满足性能要求的最佳基波和谐波阻抗值，并根据动态负载线大信号模型所观察到的漏极电流、电压波形对功放整体电路进行调谐和优化。测试结果表明,当输入功率为27 dBm时，该功放漏极效率可达81.53%，功率附加效率为76%，输出功率为38.69 dBm，增益为11.69 dB。采用该方法所设计的高效率谐波调谐功放在满足较高性能的同时,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：685kb
    • 提供者：weixin_38631978

  1. 基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计

  2. 采用内匹配技术，使用单胞的电路结构，设计并实现了一款3.8～4.2 GHz的功率放大器。该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、连续波的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于30 W,功率附加效率PAE大于48%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：289kb
    • 提供者：weixin_38706603

  1. 元器件应用中的Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三极管

  2. Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。　　新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：　　1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率　　3. 在免授权的5.8GHz ISM（工业

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38723691

  1. AlGaN / GaN HEMT的显式表面电势计算和紧凑电流模型

  2. AlGaN / GaN HEMT的显式表面电势计算和紧凑电流模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：820kb
    • 提供者：weixin_38572979

  1. 高温栅极凹槽技术制造的高RF性能增强模式Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT

  2. 高温栅极凹槽技术制造的高RF性能增强模式Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：788kb
    • 提供者：weixin_38499950

  1. 增强模式的Al2O3 / InAlGaN / GaN MOS-HEMT，其漏极电流密度达到1.7 A / mm的记录水平，阈值电压为+1.5 V

  2. 增强模式的Al2O3 / InAlGaN / GaN MOS-HEMT，其漏极电流密度达到1.7 A / mm的记录水平，阈值电压为+1.5 V

  3. 所属分类：其它

  1. 基于InP的HEMT单步和两步EBL T栅极制造技术的比较

  2. 基于InP的HEMT单步和两步EBL T栅极制造技术的比较

  3. 所属分类：其它

  1. 基于InP的HEMT器件的漏电流导数的改进特性和精确建模

  2. 基于InP的HEMT器件的漏电流导数的改进特性和精确建模

  3. 所属分类：其它

  1. 两步栅凹Craft.io，结合选择性湿法刻蚀和数字湿法刻蚀InAlAs / InGaAs基于InP的HEMT

  2. 两步栅凹Craft.io，结合选择性湿法刻蚀和数字湿法刻蚀InAlAs / InGaAs基于InP的HEMT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：913kb
    • 提供者：weixin_38556541

  1. 使用基于InP的HEMT的AW波段高增益和低噪声放大器MMIC

  2. 使用基于InP的HEMT的AW波段高增益和低噪声放大器MMIC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：922kb
    • 提供者：weixin_38502762

  1. 使用PMGI / ZEP520A / PMGI / ZEP520A堆叠式电阻器对基于InP的HEMT进行T门制造

  2. 使用PMGI / ZEP520A / PMGI / ZEP520A堆叠式电阻器对基于InP的HEMT进行T门制造

  3. 所属分类：其它

  1. InP基HEMT合金和非合金欧姆接触的长期热稳定性比较

  2. InP基HEMT合金和非合金欧姆接触的长期热稳定性比较

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：1022kb
    • 提供者：weixin_38701340

  1. 质子辐照不同入射角对InAlAs / InGaAs InP基HEMT的影响

  2. 质子辐照不同入射角对InAlAs / InGaAs InP基HEMT的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：384kb
    • 提供者：weixin_38696143

  1. 界面状态对常关AlGaN / GaN MIS-HEMT开关行为的影响

  2. 界面状态对常关AlGaN / GaN MIS-HEMT开关行为的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：207kb
    • 提供者：weixin_38536397

  1. 滤波器增强的高灵敏度室温HEMT太赫兹探测器

  2. 制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器。实验研究表明, 当在太赫兹天线与引线电极之间加入低通滤波器时, 太赫兹耦合天线的谐振性能恢复, 室温下器件的响应度达到了1.05×103 V/W；测试带宽为1 Hz时, 器件的噪声等效功率达到了4.7×10-11 W。利用该探测器单元对不同材料进行了快速扫描成像, 结果表明, 该探测器单元具有较好的成像分辨率, 且器件的响应速度优于商用的气动探测器的和热释电探测器的。

  3. 所属分类：其它

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