IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和市场推广。联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，他们将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元。IBM公司与TDK公司联合研发计划为期四年，将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行，其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。  图：飞思卡尔推出的全球第一款商用MRAM磁阻芯片 　　众所周知，传统的内存使用电荷来存储数据，而MRAM（磁阻式