MKT平台功能模块架构图 一、FLASH电路 FLASH信号作用描述 数据总线：ED0－ED15，共16根数据线，用于传输数据。 地址总线：EA00－EA23，共24根地址线，用于存储单元寻址。 控制总线： /ERD：写控制信号； /EWR：读控制信号； /WATCHODG：复位信号，用于FLASH的软件复位； /CE_F1、/CE_F2：FLASH存储区域选择信号； /ECS1_PSRAM：PSRAM片选信号； /ELB、/EUB：PSRAM存取区域选择信号； 电源供电信号：VMEM。 存储

1. 描述 MTR5012 是一款标准的125K非接触卡读写器芯片,内置独立的接收放大和数字解调电 路、时钟电路、复位电路。ID card的UID读取，并且具有多种数字接口可配置，很方便应用 于需要读取UID的场所，并且拥有非常低的待机功耗0.5uA@5V。 2. 特性 - 具有低功耗模式0.5uA@5V - 内置收发定时器 - 内置接收放大电路，外围器件少 - 外部时钟4MHz，可采用晶体 - 支持UART和维根主动输出，支持被动读取UID - 3.3V/5V 兼容 - TSSOP20 封装

文档是本科时候的一个课程设计，里面详细介绍了EM4100 ID卡的读写原理以及电路设计，文末附了PCB图以及原理电路图，并且有示波器波形仿真分析。