国际整流器公司(International Rectifier，简称为IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。  　　单个采用SO-8封装的IRF6648，其性能与两个并联的同类增强型SO-8器件相似。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的24

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648，性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。 如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72W

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。新品可配合IR近期发布的IR2086S全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336W功率。      全新的IRF6646及IRF6635适用于隔离式DC-DC转换器总线转换器的固定48V及36V到60V输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式D

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648，性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。 如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72W增加1