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  1. 触摸屏回路阻值精确计算及其影响因素.pdf

  2. 论文 介绍方块电阻的定义，测量及其计算方法。通过分析电阻式触摸屏回路电阻的构成，给出其经验公式，简述影响回路电阻的主要因素及其原因，为触摸屏组值计算和制程控制提供参考

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-28
    • 文件大小：170kb
    • 提供者：cs_21cn

  1. 电阻式触摸屏的基本结构和驱动原理

  2. 当有物体接触触摸屏表面并施以一定的压力时，上层的ITO导电层发生形变与下层ITO发生接触，该结构可以等效为相应的电路

  3. 所属分类：其它

  1. 电阻式触摸屏的基本结构和驱动原理

  2. 电阻式触摸屏的基本结构和驱动原理四线电阻式触摸屏的结构如上图，在玻璃或丙烯酸基板上覆盖有两层透平，均匀导电的ITO层，分别做为X电极和Y电极，它们之间由均匀排列的透明格点分开。。。。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-04-15
    • 文件大小：256kb
    • 提供者：atmbliwei

  1. ITO电极与n-ZnO薄膜的欧姆接触特性

  2. ITO电极与n-ZnO薄膜的欧姆接触特性，宋力君，杜国同，利用射频磁控溅射方法在n-ZnO薄膜上制备了厚度为100nm的铟锡金属氧化物（ITO）电极。为了降低ITO电极和n-ZnO薄膜之间的接触电阻，在高纯

  3. 所属分类：其它

  1. 电阻触摸屏

  2. 电阻触摸屏的屏体部分是一块贴在显示器表面的多层复合薄膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层（ITO，氧化铟），上面再盖有一层 外表面硬化处理、光滑防刮的塑料层，它的内表面也涂有一层ITO，在两层导电层之间有许多细小(小于千分之一英寸)的透明隔离点把它们隔开绝缘。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-09
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38713099

  1. 什么是电阻屏(电阻式触摸屏)

  2. 电阻式触摸屏是一种传感器，它将矩形区域中触摸点(X,Y)的物理位置转换为代表X坐标和Y坐标的电压。很多LCD模块都采用了电阻式触摸屏，这种屏幕可以用四线、五线、七线或八线来产生屏幕偏置电压，同时读回触摸点的电压。电阻式触摸屏基本上是薄膜加上玻璃的结构，薄膜和玻璃相邻的一面上均涂有ITO(纳米铟锡金属氧化物)涂层，ITO具有很好的导电性和透明性。当触摸操作时，薄膜下层的ITO会接触到玻璃上层的ITO，经由感应器传出相应的电信号，经过转换电路送到处理器，通过运算转化为屏幕上的X、Y值，而完成点选的动

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：90kb
    • 提供者：weixin_38603704

  1. 什么是电阻屏 电阻式触摸屏

  2. 当触摸操作时，薄膜下层的ITO会接触到玻璃上层的ITO，经由感应器传出相应的电信号，经过转换电路送到处理器，通过运算转化为屏幕上的X、Y值，而完成点选的动作，并呈现在屏幕上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：112kb
    • 提供者：weixin_38696339

  1. 电阻触摸屏的工作原理

  2. 　　电阻触摸屏的两层ITO工作面必须是完整的，在每个工作面的两条边线上 各涂一条银胶，一端加5V电压，一端加0V，就能在工作面的一个方向上形成均匀连续的平行电压分布。在侦测到有触摸后，立刻A/D转换测量接触点的模拟量电压值，根据它和5V的比例公式就能计算出触摸点在这个方向上的位置。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38610815

  1. 什么是电阻屏

  2. 当触摸操作时，薄膜下层的ITO会接触到玻璃上层的ITO，经由感应器传出相应的电信号，经过转换电路送到处理器，通过运算转化为屏幕上的X、Y值，而完成点选的动作，并呈现在屏幕上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：110kb
    • 提供者：weixin_38682161

  1. 电阻式触摸屏 简单介绍

  2. 电阻式触摸屏是一种传感器，基本上是薄膜加上玻璃的结构，薄膜和玻璃相邻的一面上均涂有ITO（纳米铟锡金属氧化物）涂层，ITO具有很好的导电性和透明性。当触摸操作时，薄膜下层的ITO会接触到玻璃上层的ITO，经由感应器传出相应的电信号，经过转换电路送到处理器，通过运算转化为屏幕上的X、Y值，而完成点选的动作，并呈现在屏幕上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：66kb
    • 提供者：weixin_38659789

  1. ITO表面电阻跟电阻率和膜的厚度说明

  2. ITO方块电阻主要跟电阻率和膜的厚度有关，根ITO厂家的工艺和水平相关的和芯片厂家给出的建立电阻值。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-10-09
    • 文件大小：525kb
    • 提供者：lqm_8

  1. 采用ADS7846控制器的电阻式触摸屏接口电路设计

  2. 电阻式触摸屏的检测部件是一块与显示器表面紧密配合的多层复合薄膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层阻性导体层(如铟锡氧化物ITO)，上面再盖有一层外表面被硬化处理、光滑防刮的塑料层，塑料层的内表面也涂有一层阻性导体层。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：438kb
    • 提供者：weixin_38742124

  1. 单片机与DSP中的基于ADS7846的电阻式触摸屏接口设计

  2. 触摸屏作为智能仪器、仪表的输入设备，是具有简单、方便、自然的人机交互方式。按照工作原理和传输信息介质的不同，触摸屏主要分为电阻式触摸屏、电容式触摸屏、红外线式触摸屏及表面声波触摸屏4类。电阻式触摸屏对外完全隔离，不怕油污、灰尘、水，经济性很好，适应于各种领域，其产品在触摸屏产品中占90％的市场份额。现介绍电阻式触摸屏的结构及接口设计。 　　1 电阻式触摸屏的结构 　　电阻式触摸屏的检测部件是一块与显示器表面紧密配合的多层复合薄膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层阻性导体层(如铟锡氧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：369kb
    • 提供者：weixin_38548434

  1. 传感技术中的详细介绍四线电阻触摸屏的工作原理

  2. 摘要：简要介绍触摸屏的结构及工作原理，并以Burr-Brown公司的触摸屏控制芯片ADS7843为例，介绍触摸屏应用的典型电路和操作。由于ADS7843内置12位A/D，理论上触摸屏的输入坐标识别精度为有效长宽的1/4096。 　　1 触摸屏的基本原理 　　典型触摸屏的工作部分一般由三部分组成，如图1所示： 　　两层透明的阻性导体层、两层导体之间的隔离层、电极。阻性导体层选用阻性材料，如铟锡氧化物（ITO）涂在衬底上构成，上层衬底用塑料，下层衬底用玻璃。隔离层为粘性绝缘液体材料，如聚脂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：458kb
    • 提供者：weixin_38746951

  1. 基于嵌入共轭聚合物中的LiFePO4纳米粒子的无成型电阻开关存储器

  2. 在本文中，我们报告了嵌入共轭聚合物P3HT（P3HT：LiFePO4-NP）中的LiFePO4纳米颗粒（NP）的有机-无机纳米复合材料层的电阻转换特性。具有Al / P3HT / P3HT：LiFeP4-NP / ITO结构的存储器件在偏置电压扫描下表现出无成形的双极电阻切换行为。我们的器件达到了低定型（100倍，表明其在存储应用中的巨大潜力。）基于c-AFM测量研究了电阻开关机制，并基于导电丝模型研究了温度-电流相关性。偏压下Li +离子的扩散和氧化还原。

  3. 所属分类：其它

  1. 通过氮退火处理改善了ITO / TiO2 / HfO2 / Pt随机电阻辅助存储器的性能

  2. 通过氮退火处理改善了ITO / TiO2 / HfO2 / Pt随机电阻辅助存储器的性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：898kb
    • 提供者：weixin_38655284

  1. 使用超临界流体氮化技术的透明ITO电极提高电阻式开关存储器的性能

  2. 使用超临界流体氮化技术的透明ITO电极提高电阻式开关存储器的性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：948kb
    • 提供者：weixin_38625351

  1. 基于带有印刷Ag电极的旋涂a-IGZO薄膜的RRAM器件的电阻开关特性

  2. 在这项工作中，主要基于基于溶液的合成方法制造了具有Ag / a-IGZO / ITO结构的存储器件。 具体地，通过旋涂IGZO墨水制备IGZO薄膜，并且通过喷墨印刷形成顶部Ag电极。 电气测量表明，Rorr / RoN比超过了两个数量级，并且器件的电阻可以保持高达105s，而不会劣化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：296kb
    • 提供者：weixin_38631329

  1. 退火温度对ITO玻璃上沉积的Mg“ 0”。“ 2Zn” 0“。” 8O薄膜的电阻开关行为的影响

  2. 采用Sol-Gel法在ITO玻璃基板上制备了Mg0.2Zn0.8O薄膜用于电阻随机存取存储器，研究了退火温度对电阻开关行为的影响。 随着退火温度的升高，Mg0.2Zn0.8O薄膜的结晶度可以得到改善，其导通电压，截止电压，低电阻态的电阻以及高电阻态与低电阻态的电阻比呈现出Mg0.2ZnO0.8O;增大，但开关循环的耐久力下降，高阻态电阻降低。 保持切换； 退火温度溶胶凝胶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：522kb
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

  2. 用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200 ℃)能在保证薄膜85％以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：920kb
    • 提供者：weixin_38724535
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