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  1. ITO导电玻璃与导电膜原理与应用

  2. 93页 PDF 1. ITO及各種透明導電氧化物材料的介紹 透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO) 2. TCO的導電原理 3. TCO的光學性質 4. TCO薄膜之品質控制 5. TCO 薄膜之市場應用及未來發展

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-21
    • 文件大小：7mb
    • 提供者：taurus_w

  1. 触控技术应用---ITO薄膜技术

  2. 触摸屏相关行业人员可学习学习。文件是PDF格式的。

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2011-03-11
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：w13926555221

  1. ITO薄膜性能及制成技术的发展

  2. 真正进行透明导电薄膜材料的研究工作还是19世纪末，当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-31
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：tianya80

  1. ITO透明导电薄膜的制备综述.doc

  2. 本文概述了透明导电薄膜的分类以及ITO薄膜的基本特性，综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究的进展，并指出了不同制备方法的优缺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38744207

  1. ITO薄膜的制备工艺及进展.pdf

  2. 对玻璃表面ITO膜的组成、导电机制、性质和制备工艺进行述。介绍各种制备工艺的优点及在今后的研究中要解决的问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：191kb
    • 提供者：weixin_38744153

  1. ITO薄膜的微结构及其分形表征

  2. ITO薄膜的微结构及其分形表征，孙兆奇，吕建国，采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡（ITO）薄膜，用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明：退火时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：827kb
    • 提供者：weixin_38655347

  1. CdSe薄膜电极的制备及应用

  2. CdSe薄膜电极的制备及应用，姬涛 ，姚秉华，本论文通过衡电位电沉积技术在泡沫镍和ITO导电玻璃上制备了CdSe薄膜电极，使用该电极在可见光条件下，对亚甲基蓝进行光电催化性能�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：287kb
    • 提供者：weixin_38686557

  1. ITO薄膜热电极的制作及其表征

  2. ITO薄膜热电极的制作及其表征，李广伟，孙建军，本文成功制作了ITO膜热电极，并对该电极的电化学和温度等性质进行了表征。研究了曝光时间、显影条件对电极刻蚀条件的影响以及电极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：296kb
    • 提供者：weixin_38552239

  1. ITO电极与n-ZnO薄膜的欧姆接触特性

  2. ITO电极与n-ZnO薄膜的欧姆接触特性，宋力君，杜国同，利用射频磁控溅射方法在n-ZnO薄膜上制备了厚度为100nm的铟锡金属氧化物（ITO）电极。为了降低ITO电极和n-ZnO薄膜之间的接触电阻，在高纯

  3. 所属分类：其它

  1. 热退火对铟锡氧化物薄膜电学和光学性能的影响

  2. 通过电子束蒸发将厚度为300 nm的透明导电铟锡氧化物（ITO）薄膜沉积在石英基板上，并将其中的五个在空气中于200°C至600的五个选定温度下进行后退火10分钟。分别为℃。 采用紫外可见分光光度计和霍尔测量系统来表征ITO薄膜。 详细研究了空气中的热退火对电学和光学性质的影响。 在300°C退火后，薄层电阻达到最小值6.67Ω/ sq。 在更高的退火温度下，其急剧增加。 在从400nm到800nm范围内的平均透射达到最大的89.03％退火在400℃后，和品质因数达到最大值17.79（单位：10

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：679kb
    • 提供者：weixin_38694529

  1. 玻璃基底上氧化铟锡薄膜的光致发光性能

  2. 用直流磁控溅射法在190 ℃玻璃基底上制备了氧化铟锡（ITO）薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下，分别在467 nm和751 nm处观察到了发光强度较强的蓝光宽带和强度较弱的红光带。上述发光峰的出现分别和ITO薄膜中的氧空位、铟空位等缺陷在禁带中形成的能级有关，其中氧空位形成的施主能级位于导带下1.2 eV处，而铟空位形成的受主能级位于价带下1.65 eV处。

  3. 所属分类：其它

  1. 基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

  2. 用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200 ℃)能在保证薄膜85％以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：920kb
    • 提供者：weixin_38724535

  1. 基片材料与沉积参数对薄膜应力的影响

  2. 采用哈特曼夏克传感器的薄膜应力在线测量仪测量了利用离子辅助电子束蒸发的SiO2,TiO2,Ta2O5,Al2O3与ITO薄膜在不同厚度时的应力值,并深入研究了基片材料与沉积参数对SiO2,TiO2薄膜应力的影响。研究结果表明,在成膜的初始阶段,薄膜应力与薄膜厚度基本上呈线性函数,当达到一定厚度时薄膜应力基本趋于一个定值;薄膜与基片的热失配将引起薄膜热应力,通过选择合适的基片材料可以使其降低;对TiO2薄膜而言,当基片温度低于150 ℃时,热应力起主要作用,当基片温度高于150 ℃时,薄膜致密引起

  3. 所属分类：其它

  1. 确定薄膜厚度和光学常数的一种新方法

  2. 借助于不同的色散公式，运用改进的单纯形法拟合分光光度计测得的透过率光谱曲线，来获得薄膜的光学常数和厚度。用科契公式分别对电子束蒸发的TiO2和反应磁控溅射的Si3N4，以及用德鲁特公式对电子束蒸发制备的ITO薄膜进行了测试，结果表明测得的光学常数和厚度，与已知的光学常数以及台阶仪测得的结果具有很好的一致性。这种方法不仅简便，而且不需要输入任何初始值，具有全局优化的能力，对厚度较薄的薄膜也可行。采用不同的色散公式可以获得各种不同薄膜的光学常数和厚度，这在光学薄膜、微电子和微光机电系统中具有实际的应

  3. 所属分类：其它

  1. ITO对新型AlGaInP红光LED特性的影响

  2. 用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压先下降后上升,并且两者都在435 ℃达到最优值。通过霍尔测试研究退火对ITO薄膜电学特性的影响,发现这是由于ITO在经过435 ℃退火后,电阻率最小,载流子浓度最大,因而减小了ITO的体电阻和p型欧姆接触电阻,降低了LED工作电压,同时增加了I

  3. 所属分类：其它

  1. 双层光栅结构减小非晶硅薄膜太阳电池的反射

  2. 设计了一种基于非晶硅的太阳电池新结构。在所设计的结构中，减反膜由双层光栅构成。硅(Si)薄膜被刻蚀成阵列菲涅耳波带片(非周期性光栅)结构，可以使得光聚焦到非晶硅薄膜中, 并且可以节约Si 材料的用量。Si 薄膜上的氧化铟锡(ITO)薄膜被刻蚀成亚波长、无规则的光栅阵列结构。所设计的双光栅减反膜可以减少光的反射、增加光的宽带透射。使用时域有限差分(FDTD)方法模拟了反射和透射场的强度分布。模拟结果显示，与无光栅的常规非晶硅薄膜太阳电池相比，所设计的太阳电池结构可以将光的吸收率提高39.2%，短路

  3. 所属分类：其它

  1. 热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响

  2. 应用电子束蒸镀氧化铟锡(ITO)薄膜, 在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火(RTA)处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术、扫描电子显微镜(SEM)、可见光分光谱仪、四探针测试仪测试了快速热退火处理对电子束蒸镀制备ITO薄膜的晶向、微结构、组分、光电特性的影响。分析结果表明, 退火温度升高, 有利于Sn释放5s轨道上的电子, Sn4+取代In3+形成新的化学键。此外, 退火温度升高还提升了Sn、In原子的结合能, 改变了Sn、In的氧化程度, 增加了ITO薄

  3. 所属分类：其它

  1. 热光伏系统中ITO薄膜滤波器的设计与制备

  2. 氧化铟锡(ITO)半导体薄膜为典型的宽禁带半导体材料，具有短波高透射、长波高反射以及超宽的反射带等特性，满足热光伏(TPV)系统对滤波器的要求。以载流子浓度N和迁移率μ以及膜层厚度d为参数，对ITO薄膜的光学性质进行了仿真，给出了在不同参数下滤波器的光谱曲线。通过磁控溅射薄膜沉积系统制备了ITO薄膜，对退火处理后的滤波器进行了光学性能测试，最终得到可用于热光伏系统的ITO薄膜滤波器。制备的与GaSb电池匹配的滤波器截止波长为2 μm，短波平均透射率接近70%，长波平均反射率接近70%，而且超宽的

  3. 所属分类：其它

  1. ITO薄膜表面等离子体共振波长的可控调节

  2. 采用直流磁控溅射的方式，在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间，制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16 nm逐渐增大到271 nm，其结晶程度得到增强，对应的载流子浓度由4.79×1020 cm-3增大到2.41×1021 cm-3，表面等离子体共振(SPR)波长由1802 nm逐渐蓝移到1204 nm，实现了近红外区域SPR波长较宽范围的可控调节。采用Drude自由电子气模型，对不同厚度ITO薄膜的SPR波长进行了理论计算，进一步证明了SPR波长的有效调节取决于

  3. 所属分类：其它

  1. 金属薄膜的缺陷模对一维光子晶体滤波特性的影响

  2. 采用时域有限差分(FDTD)法，对由银-氧化铟锡(ITO)薄膜构成的一维光子晶体结构在300~800 nm波段范围内的滤波特性进行了研究。仿真研究了金属缺陷层厚度、入射角度和ITO膜厚度等对光子晶体滤波特性的影响。对不同参量下光子晶体结构的色散曲线也进行了仿真计算，并分析了色散机理。结果表明，改变缺陷层的厚度能够调制光子晶体的滤波范围及滤波波形；入射光线小角度范围(0°~20°)内的变化对该光子晶体滤波性能的影响甚微；随着ITO膜厚度的增加，滤波波谱呈周期性变化。

  3. 所属分类：其它

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