掺入摩尔分数为1%In2O3和0.5%Er2O3,从n(Li)/n(Nb)比为0.94,1.05,1.20,1.38的熔体中用提拉法生长In:Er:LiNbO3(In:Er:LN)晶体。测试了晶体的紫外–可见吸收光谱、荧光光谱和抗光损伤阈值。结果表明:随着n(Li)/n(Nb)增加,晶体吸收边发生紫移,晶体的荧光发光强度和晶体抗光损伤阈值增强。n(Li)/n(Nb)为1.38的近化学计量比晶体的荧光发光强度和抗光损伤阈值最高。对不同n(Li)/n(Nb)的晶体的吸收边移动和抗光损伤阈