采用脉冲髙斯激光光束Ζ扫描方法测Μ了用磁控共溅射技术制备的InP/SiO2纳米颗粒薄膜的非线性光学性质。测量结果表明, 在激光波长为585 nm(非共振)的条件下, 经310 ℃退火的薄膜的非线性折射率系数γ的大小为10^{-11} m2/W量级, 比块材InP晶体相应的数值提高了5个数量级。薄膜的光学非线性对退火温度相当敏感。光学非线性增强主要起因于光致载流子的强量子限制效应和大量的局域态的振子强度的增强。

有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在人工蛋白石空隙中填充了磷化铟(InP)晶体以改变这类材料的光学行为, 在选择了InP的生长条件的基础上进行了周期生长试验。利用扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱(UV-Vis)对人工蛋白石晶体及其填充InP后的形貌和反射谱特性进行了分析。结果发现, 采用周期生长方式有利于InP在模板空隙中的填充, 且在反应时间相同的条件下, 反应周期数越多, InP在空隙中的填充率越高, 填充率增加反过来增大了二氧化硅球和空隙之间的折射率差, 从而可控地对所制备光子晶

在SiO2绝缘层上用高频溅射法淀积一层InP薄膜。经过连续Ar+激光再结晶以后,晶粒尺寸明显增大。利用离子背散射分析了激光再结晶前后InP化学计量比的变化,结果表明:采用SiO2保护膜后较好地抑制了InP组分的分解。对A+激光辐照引起的InP再结晶的机制进行了分析。