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  1. KDP二型mathmatica语言

  2. 用于仿真KDP二型晶体的响应特性，需要mathmatica9.0以上版本

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-05-06
    • 文件大小：12kb
    • 提供者：baidu_27983619

  1. 镍离子对KDP晶体光学性质的影响

  2. 镍离子对KDP晶体光学性质的影响，柴向旭，王波，金属离子对KDP晶体光学性质有重要影响。本文分别采用传统降温法和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-16
    • 文件大小：462kb
    • 提供者：weixin_38539705

  1. 树脂结合剂金刚石线锯切割KDP晶体表面缺陷分析

  2. 树脂结合剂金刚石线锯切割KDP晶体表面缺陷分析，高玉飞，葛培琪，采用树脂金刚石线锯对KDP晶体进行了锯切实验，使用扫描电子显微镜对KDP晶体锯切的表面缺陷进行了分析，分析了走丝速度和工件进给速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-10
    • 文件大小：663kb
    • 提供者：weixin_38656337

  1. KDP晶体无磨料水溶解抛光方法与加工机理

  2. KDP晶体无磨料水溶解抛光方法与加工机理

  3. 所属分类：软件测试

    • 发布日期：2014-06-27
    • 文件大小：14mb
    • 提供者：qq_16607189

  1. 基于功率谱密度分析真空吸盘对加工KDP晶体表面的影响

  2. 由于KDP（KH2PO4）晶体硬度低的特性，在利用单点金刚石切削技术对其进行加工的过程中，所使用的真空吸盘夹具会在其加工表面产生周期性波纹。周期性波纹在强激光非线性效应的作用下，不但会严重影响输出光束的质量，甚至还会破坏光学元件。因此，利用功率谱密度检测KDP晶体的加工表面，分析误差源，并指导加工工艺的改进。最后得出结论：在利用单点金刚石切削技术加工KDP晶体时，应根据不同的加工方式选择不同形状的真空吸槽作为夹具，尽量避免在垂直切削方向上使用真空吸槽吸附晶体，以减小吸槽的吸附力对晶体加工表面的影

  3. 所属分类：其它

  1. 大口径三倍频列阵KDP组件的制造

  2. 本文报告大阪大学激光核聚变研究中心的玻璃激光装置——GMⅡ号（口径20cm,2束） 用三倍频列阵KDP组件的试制及髙次谐波发生实验的结果。

  3. 所属分类：其它

  1. 机械夹持状态下KDP晶体的热应力

  2. 从机械结构角度对机械夹持状态下吸收了高能激光束能量的磷酸二氢钾(KDP)晶体内部产生热应力的问题进行了研究。理论分析了KDP晶体吸收激光能量引起的温升, 研究了机械夹持状态下KDP晶体内部热应力的生成机理。 采用有限元方法对KDP晶体的温度分布和热应力分布进行了仿真计算, 分析了夹持装置结构参数、预紧力、摩擦系数和弹性模量对热应力的影响。结果表明, 夹持装置对KDP晶体的机械夹持作用是KDP晶体内部产生热应力的重要因素, 热应力的大小与夹持装置的结构参数有关。

  3. 所属分类：其它

  1. γ射线辐照快速生长KDP晶体的性能

  2. 采用连续过滤快速横向生长技术, 有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度, 提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后, 测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示, 不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式, 但会降低912 cm-1处的晶格振动强度; γ射线辐照诱导缺陷的种类不变, 但随着辐照剂量的增大, 缺陷浓度增大; 晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。

  3. 所属分类：其它

  1. 大口径KDP晶体高效率串接倍频

  2. 本文给出了串接倍频的原理及两块晶体相对取向的要求.利用两块1.4cm厚的Ⅱ类KDP晶体串接,入射基频激光强度为0.33～0.67GW/cm~2,外转换效率达到60%以上,激光束口径为φ42mm.实验结果与计算值符合很好.本文将L_1=L_2=1.4cm的串接倍频器与厚度分别为3cm和1.4cm的单块晶体倍频器的实验特性作了比较,表明串接倍频器同时兼有单块厚晶体倍频器和单块薄晶体倍频器的优点.

  3. 所属分类：其它

  1. 大口径KDP晶体夹持方式对面形的影响

  2. 对大口径KDP晶体的夹持方式以及夹持对面形的影响进行了研究。利用ANSYS建立KDP晶体侧面和正面夹持的有限元模型。研究了侧面均布荷载、侧面均匀及非均匀两点荷载作用时KDP晶体面形，得出了总荷载大小是影响晶体面形的关键因素。讨论了理想状态和实际状态下KDP晶体正面夹持面形，得出了元件表面平面度是影响晶体夹持面形主要因素。通过分析和计算，找到了降低元件平面加工精度对晶体正面夹持面形影响的理论技术方案。

  3. 所属分类：其它

  1. 大口径KDP晶体实现高效三倍频转换的新型支撑结构

  2. 提出了一种新型支撑结构以解决大口径晶体重力凹陷作用引起的三倍频转换效率损失问题。有限元分析结果表明：当KDP晶体及支撑结构均为理想平面时，重力作用导致的三倍频转换效率的损失量几乎为0。同时，针对不同倾斜角度下的接触面加工误差对三倍频转换效率的影响进行了大量的数值模拟。计算结果表明：采用新型支撑结构，不同倾斜角度对三倍频转换效率的影响基本相同；支撑结构表面存在随机加工误差对三倍频转换效率的影响程度较小；而当支撑结构存在凸形或凹形加工误差时，加工误差容许值必须控制在5 μm范围内以实现高效三倍频输出

  3. 所属分类：其它

  1. 铁电体KDP软模时间分辨的冲击受激拉曼散射

  2. 利用飞秒脉冲激光在时域内对铁电体KDP(KH2PO4)进行冲击受激拉曼散射(ISRS)实验研究,在激发光束夹角θ=0.38°情况下,发现了KDP软模与光耦合所形成的电磁耦合波子弱衰减低频振荡的冲击受激拉曼散射响应信号,其周期随着温度接近相变温度Tc而逐渐增大,其特性可用铁电体软模在Tc温度附近频率的变化规律ω2=α0(T-Tc)来描述,这里系数α0≈16×1020 s2K-1.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：168kb
    • 提供者：weixin_38691194

  1. KDP晶体三倍频实验和分析

  2. 报道了KDP晶体中的三倍频产生的实验研究,计算并比较了直接三倍频过程和级联过程对KDP晶体三阶有效非线性系数的贡献。并探讨了KDP作为非线性晶体材料三阶非线性系数测量基准的可行性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：763kb
    • 提供者：weixin_38501751

  1. 神光装置φ200 mm口径KDP晶体高功率倍频激光系统

  2. 报道了φ200ｍｍ口径KDP晶体高功率倍频激光系统的研制结果，并实现了神光装置信频激光打靶。五十枪次全口径打靶实验表明，倍频激光系统性能稳定。实验中，当入射基频激光强度大于1.5 GW/cm2，倍频器的外部转换效率保持在60%以上。最大入射基频激光能量为357.8 J时，输出倍频激光能量为223.4 J，倍频转换效率为65.6%。

  3. 所属分类：其它

  1. KDP/DKDP晶体表面增透膜研制

  2. KDP/DKDP晶体表面增透膜研制

  3. 所属分类：其它

  1. 大口径KDP晶体加工相位扰动与三次谐波转换

  2. 根据神光Ⅱ三次谐波转换中的各种现象，分析了晶体中高频周期相位调制的影响。目前国内大口径KDP晶体在中高频段存在强烈周期性相位调制，相位调制周期约20 mm，调制幅度约35 nm，导致三次谐波近、远场产生明显的强度调制，实验测得三倍频的近场周期条纹对比度在0.1~0.3之间，周期约12 mm，理论分析该周期相位调制导致光束下游元件产生自聚焦风险明显增大，并且会引起三倍频远场畸变分裂，可聚焦能力下降。中高频段的周期调制可能来自于晶体加工过程中真空吸附，需要进一步实验判断并在加工中消除周期性的相位扰动

  3. 所属分类：其它

  1. KDP晶体中高频相位调制对神光Ⅱ升级装置的影响

  2. 在高功率激光装置中，大口径电光开关晶体KDP在表面抛光过程中会引入大量的中高频调制，这种中高频段调制会对高功率激光驱动器性能产生影响。基于快速傅里叶变换理论和元件波前数据，对神光Ⅱ升级装置进行了计算模拟，研究中高频调制对光束近场均匀性和远场聚焦能力的影响，并且讨论了在光束传输放大过程中该频段调制对装置的可能危害。

  3. 所属分类：其它

  1. 约束条件下KDP晶体匹配角热敏感性分析方法

  2. 约束方式和晶体温度是影响磷酸二氢钾(KDP)晶体性能的两个主要因素。晶体在约束条件下，温度的变化使晶体产生热应力和热形变，破坏晶体原有的相位匹配条件，从而致使谐波转换效率降低。为了获得约束条件下温度与晶体匹配角的关系，建立了约束条件下晶体匹配角热敏感性的分析方法。利用有限元分析法，计算约束条件下温度变化产生的热应力和热形变分布；将热光效应、弹光效应以及热形变引入到匹配角的计算之中，获得匹配角的变化规律。以神光Ⅲ原型装置采用的晶体约束方式对该方法进行了验证。结果表明，该方法计算得到的神光Ⅲ原型装置

  3. 所属分类：其它

  1. KDP晶体在激光倍频过程中的自动定向

  2. 介绍微机控制单块KDP晶体自动定向系统, 它可将KDP晶体调整到它的最佳相位匹配位置。系统的控制精度E=±16.3角秒, 具有实时跟踪相位匹配角变化的能力, 可补偿温度漂移和外界振动对相位匹配角的影响。

  3. 所属分类：其它

  1. KDP晶体中杂质缺陷吸收引起的温度场模型

  2. 在点源热脉冲传热模型的理论基础上，采用格林函数法建立了由于单个杂质缺陷吸收引起的温度场模型，得到了杂质附近温度场的解析表达式，分析了激光脉冲参数对温度场的影响情况，并在单个杂质吸收的理论基础上推导得到KDP晶体某一区域内含多个杂质吸收的模型。结果表明杂质吸收引起的温度变化与激光脉冲参数密切相关。当杂质间距离小于激光持续时间内产生的热扩散距离时，就会引起杂质间温度场的叠加，并且当杂质密度大到一定程度时，会使杂质团区域的温升加剧，导致晶体发生激光诱导损伤的可能性加大。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：493kb
    • 提供者：weixin_38658405
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