在点源热脉冲传热模型的理论基础上，采用格林函数法建立了由于单个杂质缺陷吸收引起的温度场模型，得到了杂质附近温度场的解析表达式，分析了激光脉冲参数对温度场的影响情况，并在单个杂质吸收的理论基础上推导得到KDP晶体某一区域内含多个杂质吸收的模型。结果表明杂质吸收引起的温度变化与激光脉冲参数密切相关。当杂质间距离小于激光持续时间内产生的热扩散距离时，就会引起杂质间温度场的叠加，并且当杂质密度大到一定程度时，会使杂质团区域的温升加剧，导致晶体发生激光诱导损伤的可能性加大。