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LVSCHK 部分参数
LVSCHK 部分参数A 合并串联电容B 保留并联的BJT管,但合并MOS,LDD,RES,CAP,DIOC 形成门电路。(INV是默认形成,只能用X选项关闭)E 使用主要参数去匹配并联电路。F 删除不用的器件。layout和schematic删除的器件可以不同。 FILTER-OPTIONS 命令优先级高于F参数。G 以相同的方式,删除不用的器件。 FILTER-OPTIONS 命令优先级高于G参数。K 保留并联的器件。默认是合并。 K参数优先级高于B参数。L 形成门电路,但不形成
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:32kb
提供者:
weixin_38592611