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Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Ag substrates with ECR-PEMOCVD
银衬底上低温沉积GaN薄膜及其性能研究，王帅，秦福文，本文通过利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术，在在镀银硅片衬底上低温沉积高择优取向的GaN。实验�
所属分类：
其它
发布日期：2020-03-11
文件大小：1048576
提供者：
weixin_38607971
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