注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. MOCVD工作过程图片

  2. MOCVD工作过程图片 懂行的人可以下载

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2013-01-04
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：lovekevinfch

  1. MOCVD法制备TiO2光催化薄膜

  2. MOCVD法制备TiO2光催化薄膜，郭森，董帆，采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）制备负载于玻璃基片上的TiO2薄膜，研究沉积温度、沉积时间等沉积条件对其制备的影响，并以Ag(Ac)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-01
    • 文件大小：508kb
    • 提供者：weixin_38553791

  1. 衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响

  2. 衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响，李硕石，程轶，采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，于不同衬底温度下在c面蓝宝石衬底上制备了Sb掺杂的ZnO薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射(XRD),霍�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：284kb
    • 提供者：weixin_38639237

  1. 基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

  2. 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件，优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构，在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术，制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性： 峰值电流密度＞400 kA/cm2， 峰谷电流比(PVCR)＞2.4。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：235kb
    • 提供者：weixin_38711972

  1. MOCVD技术在光电薄膜方面的应用及其最新进展

  2. MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38601364

  1. 显示/光电技术中的MOCVD技术在光电薄膜中的应用

  2. 导读: MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。 　　一、引言 　　近年来，随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的来临，LPE、VPE等技术在半导体业生产中的作用越来越小；MBE与MOCVD技术相比，由于其设备复杂、价格更昂贵，生长速度慢，且不适pC-长含有高蒸汽压元素(如P)的化合物单晶，不宜于工业生产。而金属有机物化学气相淀积(MO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38742409

  1. 显示/光电技术中的概述LED芯片生产过程与MOCVD知识

  2. LED外延片（外延片） 　　LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法。 　　MOCVD 　　金属有机物化学气相淀（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38669881

  1. 基础电子中的MOCVD的应用范围

  2. 金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3，在基材substrate表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 　　MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜，可随着precursor的更换，而沉积出不同种类的薄膜。对于LED来说

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38659646

  1. 基础电子中的MOCVD工艺简介

  2. MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。与其他外延生长技术相比，MOCVD技术有着如下优点： 　　（1）用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可以用于生长薄层和超薄层材料。 　　（2）反应室中气体流速较快。因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：120kb
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 单片集成在InP上的MOCVD生长多波长激光器

  2. 单片集成在InP上的MOCVD生长多波长激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：588kb
    • 提供者：weixin_38548434

  1. MOCVD生长的GaMnN退火薄膜的磁学性质与结构的关系

  2. MOCVD生长的GaMnN退火薄膜的磁学性质与结构的关系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：664kb
    • 提供者：weixin_38692184

  1. LED产业MOCVD设备专利信息分析

  2. 通过世界专利索引数据库(DWPI)对MOCVD设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对AIXTRON的喷淋头结构技术和VECOO公司的MOCVD托盘技术专利进行分析和预警。在"七国两组织"专利数据库与综合专利检索分析系统中,检索出中国的MOCVD设备申请专利,将国内申请和来华申请专利的关键技术点进行比对分析。通过核心技术分析和预警、关键技术点比对分析为中国在这些技术领域做出专利部署或技术研发,制定出适合LED产业MOCVD设备自主知识产权

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：484kb
    • 提供者：weixin_38681147

  1. 生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响

  2. 生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响

  3. 所属分类：其它

  1. 意外掺杂的高电阻率GaN层，具有通过MOCVD生长的InGaN中间层

  2. 意外掺杂的高电阻率GaN层，具有通过MOCVD生长的InGaN中间层

  3. 所属分类：其它

  1. MOCVD生长和在1.3μm附近发射的取向不正确的Si（100）上的多堆叠InAs / GaAs量子点的表征

  2. MOCVD生长和在1.3μm附近发射的取向不正确的Si（100）上的多堆叠InAs / GaAs量子点的表征

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：720kb
    • 提供者：weixin_38526421

  1. 大尺寸电磁加热的氮化物MOCVD反应室温度场的仿真与优化

  2. 大尺寸电磁加热的氮化物MOCVD反应室温度场的仿真与优化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：606kb
    • 提供者：weixin_38741950

  1. MOCVD掺铌对MgF2（110）衬底上外延SnO2薄膜的结构，电学和光学性质的影响

  2. MOCVD掺铌对MgF2（110）衬底上外延SnO2薄膜的结构，电学和光学性质的影响

  3. 所属分类：其它

  1. MOCVD在MgF2（110）衬底上生长的外延金红石型SnO2薄膜的结构，光学和电学性质

  2. MOCVD在MgF2（110）衬底上生长的外延金红石型SnO2薄膜的结构，光学和电学性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：893kb
    • 提供者：weixin_38630612

  1. MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质

  2. MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质

  3. 所属分类：其它

  1. 通过MOCVD生长具有厚InGaN中间层的GaN外延层的应变和微观结构

  2. 通过MOCVD生长具有厚InGaN中间层的GaN外延层的应变和微观结构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：716kb
    • 提供者：weixin_38731479
« 12 3 4 5 6 7 8 »