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  1. MOCVD生长和在1.3μm附近发射的取向不正确的Si（100）上的多堆叠InAs / GaAs量子点的表征

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  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：720kb
    • 提供者：weixin_38526421