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  1. MOS场效应管参数

  2. MOS场效应管参数.在电子设计方面所要用到的MOS管

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2014-05-26
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：qq_15803559

  1. 采用普通电源变压器的MOS场效应管逆变器.pdf.pdf

  2. 采用普通电源变压器的MOS场效应管逆变器.pdfpdf,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：874kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. MOS场效应管

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemIConductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。本文主要讲解 MOS场效应管的检测方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：61kb
    • 提供者：weixin_38638647

  1. 关于场效应管的注意事项

  2. 场效应管的注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。 （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：140kb
    • 提供者：weixin_38678255

  1. MOS场效应管基本知识.pdf

  2. 半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另 一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是 利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。

  3. 所属分类：电信

  1. mos场效应管Vgs参数注意事项

  2. 本文主要介绍了关于mos场效应管Vgs参数注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38713996

  1. MOS场效应管的工作原理

  2. 场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：29kb
    • 提供者：weixin_38628310

  1. MOSFET(MOS场效应管)工作原理

  2. 场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38748210

  1. 一种利用普通电源变压器的MOS场效应管逆变器

  2. 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-10
    • 文件大小：144kb
    • 提供者：weixin_38551046

  1. 自制电源变压器的MOS场效应管逆变器

  2. 这里介绍的逆变器主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：310kb
    • 提供者：weixin_38608025

  1. 电源变压器的MOS场效应管逆变器制作

  2. 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：377kb
    • 提供者：weixin_38526823

  1. MOS场效应管逆变器自制

  2. 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程：图1工作原理一、方波的产生这里采用CD4069构成方波信号发生器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226kb
    • 提供者：weixin_38735987

  1. 自制MOS场效应管逆变器的解决方案

  2. 自制MOS场效应管逆变器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：227kb
    • 提供者：weixin_38503496

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38748740

  1. 元器件应用中的MOS场效应管基础知识讲述

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：82kb
    • 提供者：weixin_38743076

  1. 元器件应用中的V-MOS场效应管

  2. 1.V-MOS场效应管的结构　　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的两个臂上制成。　　当给源极和漏极间加上电压UDS，若栅极电位为零或负，由于PN结反向偏置，漏极与源极间没有电流流过，ID=O;当栅极接大正电压时，由于电荷感应，在  P-型区感应出电子，由于电子的积累，形成了N型沟道。该沟道连通了N+型区和N-型区，在源极和漏极之间便产生了电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：102kb
    • 提供者：weixin_38743054

  1. 元器件应用中的采用双栅Mos场效应管组成的再生收音机

  2. 该再生收音饥电路如图所示。输入放大级采用双栅MOS场效应管，具有输入阻抗高、噪声低和AGC控制范围宽的优点。C1为再生调节电容，以控制正反馈再生强度，提高收音机灵敏度。L、C调谐回路选出的电台信号加到VT1的第一栅极进行放大。经VD1、VD2检波后得到的负电压，同时经R5加到VT1的第二栅极，作AGC控制用。检波后所得音频信号再经VT2、VT3放大驱动耳机发出声响。 　　采用双栅MOS场效应管组成的冉生收音机电路  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：89kb
    • 提供者：weixin_38652270

  1. 元器件应用中的功率MOS场效应管

  2. 表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。　　一些小功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38651540

  1. 模拟技术中的MOS场效应管

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：65kb
    • 提供者：weixin_38562392

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38686658
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