基于射频(RF) MOS管的等效电路及非线性等效模型，采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD)，对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析。在此基础上，针对栅源电容(Cgs)、跨导(gm)、输出导纳(gds)和漏极结电容(Cjd)四个主要非线性源，提出了多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿、深N阱和二次谐波短路等线性度提高技术。将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器(PA)上，该PA采用TSMC 0.18

MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力（VDS恒定）的参数，也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应，λ=0，在以下分析中，如未出现λ参数，均表示λ=0的情况)。