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  1. MOS管击穿原因和防护措施！

  2. MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？下面为大家一一揭晓

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：98kb
    • 提供者：weixin_38687277

  1. MOS管为什么会被静电击穿？

  2. 初学者可能会有这样的疑问，MOS管为什么会被静电击穿？本文就给你答案，一起来看。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-21
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38552239

  1. 元器件应用中的【E课堂】MOS管为什么会被静电击穿？

  2. MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。     静

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38506103

  1. 电源技术中的MOS管为什么会被静电击穿？

  2. MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。    

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38677936

  1. MOS管为什么会被静电击穿

  2. MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。 　　静

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38551749

  1. MOS管为什么会被静电击穿？

  2. MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。    

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：97kb
    • 提供者：weixin_38688956