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搜索资源列表

  1. 功率mosfet教程

  2. 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-18
    • 文件大小：556kb
    • 提供者：caxap

  1. mosfet实用教程

  2. MOSFET器件的介绍，以及MOSFET的特性，MOSFET在开关电源中的应用于计算

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-16
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：zhencchi

  1. 功率MOSFET设计

  2. 功率MOSFET的设计教程,了解MOSFET的应用注意事项

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-19
    • 文件大小：592kb
    • 提供者：tlcumt

  1. 特别详细的MOSFET教程

  2. 非常好的MOSFET教程，掌握小东西的EE才是最棒的

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-08-27
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：collinskong

  1. MOSFET教程

  2. MOSFET教程 关于MOSFET的介绍等

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-12-16
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：rqh2007615

  1. MOSFET教程

  2. MOSFET教程!! MOSFET learning!

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-04-28
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：laigs218

  1. MOSFET教程－－阳岳丰.pdf

  2. MOSFET教程 mosfet结构 trench mos

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-02-20
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：shuimoyanzi

  1. TCAD教程中文版

  2. TCAD教程：将向读者介绍如何使用 SILVACO 公司的 TCAD 工具 ATHENA 来进行工艺仿真以 及 ATLAS 来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及 MOSFET 和 BJT 的基本概念

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-03-03
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：sinat_26299187

  1. MOSFET选型教程

  2. MOSFET选型教程,适用于各阶段电子工程师参考，文档讲的比较详细，是难得的资料。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-03-04
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：qq_26311407

  1. 射频与微波功率放大器设计

  2. 内容简介 　　这是本严谨的教程，它可帮助您缩短设计周期并改善器件效率。书中设计工程师Andrei Grebennikov告诉您如何与计算机辅助设计技术结合在一起进行分析计算，在处理与生产的过程中提高效率；使用了近300个详细的图表、曲线、电路图图示说明，提供给您所需要的、改善设计的所有信息。 　　本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧，以及有效地将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。它为电子工程师提供了几乎所有可能的方法，以提高设计效率和缩短设计周期。书中不仅

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2008-11-27
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：shanghai_007

  1. MOSFET使用教程

  2. 关于mosfet的使用注意事项，以及关键参数的介绍，具备参考价值

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-10-04
    • 文件大小：369kb
    • 提供者：sijieshenhua

  1. 英飞凌2500W图腾杆全桥功率因数校正演示板操作教程.pdf

  2. 这是一个应用说明，专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高压MOSFET驱动程序。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段，它利用Infineon的CoolGantm技术的优势，将系统效率提高到99%以上，用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式（E模式）氮化镓（GaN）半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷，GaN是一种宽带隙

  3. 所属分类：其它

  1. TI高精度实验室-压摆率 2.pdf.pdf

  2. TI高精度实验室-压摆率 2.pdfpdf,TI高精度实验室-压摆率 2.pdfBody Effect on Slew Rate Gate Drain ource Body P+ N-Well P-Substrate Body Capacitance 20pF 3 TEXAS INSTRUMENTS o Remember from the first slew rate video that each input pin of an op-amp is connected to a transi

  3. 所属分类：其它

  1. MOSFET系列资料.doc

  2. MOSFET系列资料doc,众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：589kb
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 共源JFET放大器分析

  2. 共源JFET放大器使用结型场效应晶体管作为其主要有源器件，提供高输入阻抗特性。晶体管放大器电路（例如共射极放大器）是使用双极晶体管制造的，但是小信号放大器也可以使用场效应晶体管制造。与双极型晶体管相比，这些器件具有输入阻抗极高且噪声输出低的优点，因此非常适合用于输入信号非常小的放大器电路。　　基于结型场效应晶体管或“ JFET”（本教程中为N沟道FET）甚至金属氧化物硅FET或“ MOSFET”为基础的放大电路的设计与双极晶体管电路的原理完全相同用于上一教程中介绍的A类放大器电路。　　首先，需要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38641896

  1. 提升开关电源效率和可靠性：半桥谐振LLC+CoolMOS开关管

  2. 电源反馈光耦CTR过大，过小？到底有何影响？ 　　通知：张飞无人机配件、正激、视频教程已在商城上架（点击蓝字查看详情）！ 　　1.摘要 　　近来， LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。 　　长期以来， 提升电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：340kb
    • 提供者：weixin_38683721