注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. MOSFET FUNDAMENTAL

  2. 如何根据电机选择MOSFET，包括基本电路设计要点

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-11
    • 文件大小：590kb
    • 提供者：cdlinke

  1. Compact MOSFET Models for VLSI Design-2009

  2. 2009年最新版的关于MOSFET的集约模型，在超大规模集成电路设计中起重要的指导性数目

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-19
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：candiceyanyan

  1. 功率 MOSFET

  2. 芯片资料\csd17505q5a30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Vgs 为 20V.pdf

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-10-16
    • 文件大小：505kb
    • 提供者：kaitianwoduxing

  1. 深入理解MOSFET规格书/datasheet

  2. 作为一个电子工程师、技术人员，相信大家对 MOSFET 都不会陌生。 工程师们要选用某个型号的 MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？ 本文的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点，有什么错误、不当的地方请大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起学习。 PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 da

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2017-11-03
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：qq_40752349

  1. 常见3D封装库.PcbLib，支持Altium，基本包括全

  2. 常见3D封装库.PcbLib，支持Altium，基本包括全，电阻、电容、sot系列，tssop系列，sop系列，sw，MOSFET，等等

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-05-06
    • 文件大小：37mb
    • 提供者：flyoung1994

  1. 如何调整PCB布局以降低MOSFET辐射

  2. 最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在不同应用中驱动快速开关超级结MOSFET，必须对器件寄生效应影响和PCB布局寄生效应影响都了解。设计适合快速开关超级结MOSFET的栅极驱动电路时有许多因素需考虑。关于最大限度减少不必要的噪声有几项主要准则。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38525735

  1. 被忽略的细节：理解MOSFET额定电压BVDSS

  2. 看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗？这里面还有什么被忽略的内容？细节决定技术，今天研究功率MOSFET数据表中BVDSS所隐藏的一些有意思的细节，来理解这个参数所设定的含义。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38576045

  1. 根据应用恰当选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须评估其它

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：187kb
    • 提供者：weixin_38735119

  1. IR为DC-DC应用提供新型FastIRFET双功率MOSFET

  2. 全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET，藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源模块产品减少5%以上的功率损耗，适用于12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。     IRFHE4250D配备IR新一代硅技术，并采用了适合

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 如何为具体应用恰当的选择MOSFET

  2. 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：190kb
    • 提供者：weixin_38530202

  1. 为具体应用恰当的选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须*估其它

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38537941

  1. 使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

  2. VRM设计师喜欢相对较小的5mm×6mm SO-8封装。但由于这种封装是针对低功耗芯片设计的，因此不具备DPAK的热性能。量产的MOSFET多是SO-8大小的部件，并带有可焊接到PWB上的散热片。这类组件在全球的使用会越来越多，这些封装的热性能通常接近DPAK，而且在采用某些互连技术时，其寄生电阻和电感还可能更小，同时，PWB面积也减小一半。这也是许多电子设计师喜欢采用这种封装的原因。这是一个值得注意的进步；因为，典型的4相VRM 10产品具有一个高压侧MOSFET和两个低压侧MOSFET，总计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：149kb
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 模拟技术中的为具体应用恰当的选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须*估其它

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：164kb
    • 提供者：weixin_38677306

  1. 模拟技术中的低导通电阻MOSFET提升数据中心效率

  2. 飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)最小的MOSFET器件，而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。 　　通过*测，MOSFET器件的总体漏源导通电阻RDS(ON)是由芯片电阻和封装电阻构成的。这项参数非常重要的原因主要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：111kb
    • 提供者：weixin_38652058

  1. 元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点

  2. 功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，图形符号如图所示。根据导电结构，MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体管称为VMOSFET。 　　(a)N沟道类型：(b)P沟道类型 　　图 功率MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38698943

  1. 元器件应用中的飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度

  2. 日前，飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30V N沟道MOSFET，二者均使用的专用先进高性能PowerTrench 7 MOSFET技术，提供出色的低RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD)，这些性能最大限度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38553381

  1. 元器件应用中的Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。此次发布的器件包括业界首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。 　　已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB41

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38657102

  1. 元器件应用中的Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封装的低导通电阻大电流MOSFET

  2. 东芝美国电子元器件公司（TAEC）近日推出Toshiba公司的TSON Advance MOSFET封装，采用薄的、紧凑型3.3mmx3.3mmx0.9mm封装, 提供高功率。相对于广泛使用5.0mm x 6.0mm SOP-8封装，东芝公司开发的TSON Advance封装减小64%的安装面积，同时实现相同的功耗1.9W。 　　TAEC还推出采用新的TSON Advance封装的四个低RDS(ON)功率MOSFET，主要应用于笔记本电脑和电子产品的电源管理开关或电池保护控制电路（PCM）。紧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38666785

  1. 元器件应用中的Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET

  2. Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为* (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。 　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。 　　两款新器件的击穿电压（BVDSS）分别为150V及200V，能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式，不需要额外的保护电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38709511

  1. 巧用快速恢复MOSFET，简化三相逆变器拓扑设计

  2. 提高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中。此外，由于采用了电子换向器代替机械换向装置，三相无刷直流电机被认为可靠性更高。 标准的三相功率级(power stage)被用来驱动一个三相无刷直流电机，如图1所示。功率级产生一个电场，为了使电机很好地工作，这个电场必须保持与转子磁场之间的角度接近90°。六步序列控制产生6个定子磁场向量，这些向量必须在一个指定的转子位置下改变。霍尔效应传感器扫描转子的位置。为了向转子提供

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38680506
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 »