我们已经研究了锰掺杂引起的氮空位（VN）对通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的（Ga，Mn）N薄膜的电子结构和传输性能的影响。 （Ga，Mn）N膜中n型载流子浓度的显着增加归因于由Mn掺杂引起的额外的VN。 随温度变化的霍尔数据表明，附加的VN是（Ga，Mn）N薄膜在较高温度区域的主要散射机制。 （Ga，Mn）N膜的Mn L-2，L-3 X射线吸收光谱显示多重结构，表明Mn离子主要以Mn2 +（d（5））状态存在。 这些可以归因于电子从VN转移，这与电学性质非常一致。 提出了一种涉及电荷