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  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：noraml

  1. 场效应管的原理及分类

  2. 　各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。 　　半导体的场效应，是在半导体表面的垂直方向上加一电场时，电子和空穴在表面电场作用下发生运动，半导体表面载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变，即改变为加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-20
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：zmq5411

  1. IRF540 N沟道型场效应管

  2. IRF540 N沟道场效应管参数介绍文章。 使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-05-03
    • 文件大小：930kb
    • 提供者：sqds

  1. 场效应管基础知识-工作原理

  2. 场效应管基础知识-工作原理,结型场效应管的工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。 图 1 N沟道结型场效应管工作时，也需要外加如图1所示的偏置电压，即在栅-源极间加一负电压(vGS＜0)，使栅-源极间的P+N结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达108左右)。在漏-源极间加一正电压(vDS＞0)，使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD。iD的大小主要受栅-源电压vG

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-08
    • 文件大小：117kb
    • 提供者：shanglinghui

  1. 场效应管的特性

  2. 本文以N沟道.结型场效应管为例说明场效应管的特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38689055

  1. 绝缘栅型场效应管之图解2

  2. 本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型）及场效应管的主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 场效应管开关电路原理

  2. 效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不分明，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC通通称作“三个脚的管管”，假如这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速进步的哦！好了，说到这里场效应管的恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用 ： 表示，关于它的结构原理由于比拟笼统，我们是浅显化讲它的运用，所以不去多讲，由于依据运用的场所请求不同做出来的品种繁多，特性也都不尽相同；我们在mpn中常用的普通是作为电源供电的电控之开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：221kb
    • 提供者：weixin_38550146

  1. 场效应管的识别与检测

  2. 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。 1 场效应管的分类 场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。结型场效应管又分为N沟

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38714370

  1. 关于场效应管的测试方法

  2. 场效应管的测试方法 结型场管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：135kb
    • 提供者：weixin_38586428

  1. 关于场效应管的注意事项

  2. 场效应管的注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。 （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：140kb
    • 提供者：weixin_38678255

  1. 简析场效应管如何分类

  2. 场效应管的分类 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 结型场效应管（JFET） 1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38548421

  1. 场效应管发热的解决方法

  2. 场效应管发热的原因 1、电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2、频率太高 主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3、没有做好足够的散热设计 电流太高，MOS管标称

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 关于场效应管的测量方法

  2. 场效应管测量方法 电阻法测电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：145kb
    • 提供者：weixin_38726007

  1. 场效应管和晶闸管的区别

  2. 场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。 什么是场效应管 这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示： PMOS的衬底为N型半导体，在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：235kb
    • 提供者：weixin_38603924

  1. 绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识

  2. 绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识 1.增强型NMOS管 s：Source 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在P型衬底扩散上2个N 区，P型表面加SiO2绝缘层，在N 区加铝线引出电极。 2.增强型PMOS管 在N型衬底上扩散上2个P 区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P 区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 3.增强型NMOS管的工作原理 正常工作时外加电源电压的配置： (1)VGS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：275kb
    • 提供者：weixin_38715094

  1. 功率场效应管的应用资料

  2. 常用功率场效应管的应用资料，比较难得。比如：IRFP251 N-FET MOS-enh,S-L 150 33 180 180/120 0.085Ω

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-02
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：hlycht

  1. 元器件应用中的图解绝缘栅型场效应管

  2. 本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。 　　增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。 　　耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 　　1、结构和符号(以N沟道增强型为例) 　　在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 　　其他MOS管符号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：235kb
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计

  2. 专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道增强型场效应管构建H桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直接与微处理器接口，可应用PWM技术实现直流电机调速控制。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：183kb
    • 提供者：weixin_38740827

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38748740

  1. 元器件应用中的MOS场效应管基础知识讲述

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：82kb
    • 提供者：weixin_38743076
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