第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时第三章 光刻－－－－－－－－－4学时第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时第五章 金属化、封装与可靠性－2学时第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时 第三章 光刻－－－－－－－－－4学时 第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时 第五章 金属化、封装与可靠性－2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

N阱cmos场效应管的制备工艺流程，详细介绍了从衬底的选择到刻铝的各个步骤的细节，入门首选