状态读的操作如图1所示，如果跟着指令70h作，则读出存储器的状态。存储器的状态数据如图2所示。 　　图1状态读操作 　　图2TC58V64的状态 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

TC58V64的读操作如图1所示。随着指令，利用节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。 　　图1 TC58V64的读操作 　　读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址，后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块，由于各个块又分割成16个页，所以A22～A13为块号（块地址），A12～A19为块内的页号（块内的NAND地址）。 　　表1 指定地址的方法  　读指令如果是00h，则A8＝“0”

作者Email: cat_yuan163.com 摘要：K9F6408系列是8M×8bit的NAND型闪速存储器。它以其快速读写循环，数据硬件保护，可擦除，I/O口命令/地址/数据线复用和接口便利等特点，正成为大型数据如语音、数字图像、文件等系统数据的载体。本文给出了K9F640800A与单片机P87C52的硬件连接电路及闪速存储器操作的软件应用程序。 关键词：flash 存储器；扇区；操作；应用程序 1、概述 存储器是计算机外围产品的重要组成部分，在经历了ROM, P