NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细，被称为45nm的下一代产品。此次，NEC电子推出的工艺中，一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺，它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz，同时保持低功耗;另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺，它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。 　　UX8GD和 UX8LD 是在线宽从55nm缩小至4