写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以OE保持高电平，由主机方面赋予数据（DQ0～DQ1）。 　　图 闪速存储器的写操作 　　当WE和CE双方都为低电平时，进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和瓦双方都变成低电平后，在任何一方上升为高电平阶段（由低电平到高电平的变化中），数据被提取到闪速存储器内部。通过WE进行的写操作称为WE写控制；通过CB进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用WE写控制的较多，所以图示的也是WE写控制的过程。  　　写操作时必须要注意的是地址

下面我们来看看闪速存储器读周期的时序。基本的存取方法的思路如图所示。 　　图  闪速存储器的读操作 　　将希望访问的地址提供给A0～A16，一旦瓦、醌效（低电平），则由闪速存储器开始读出数据（因为是读操作，所以WE保持高电平）。 　　数据在何时被确定是由地址．CE．OE各自确定后的延迟时间（存取时间）规定的，是由最迟的时间确定数据的。 　　例如，Am29F010A-55由地址及GE的存取时间为55ns，由“的存取时间为30ns。如果地址确定了的同时，CE、OE同时有效，则55ns后将出现