注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. Java初学者必备数学建模考试题

  2. 初学者的宝典,1c!cn-c (λμ)np0(c), n=c+1,…（2） 　　当系统达到平衡状态时，每个患者在系统中等待时间W的均值为： 　　E(W)=pn(c)cμ(1-ρ)2=nμn!(nμ-λ)2 (λμ)np0(c)（3） 　　排队逗留的人数Ls=Lq+cρ=1c! (cρ)cρc!(1-ρ)2p0+λμ(4) 　　1.3 排队系统的最优化 　　在排队系统中，患者希望服务台越多、服务效率越高、逗留时间越短越好，使自己的损失达最小，为此医院就要增加医生和设备，而 医院也不可能无限投入。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-09-12
    • 文件大小：26kb
    • 提供者：zhuyaodong

  1. 算法设计与分析导论 李家同 中文版

  2. 算法设计与分析导论 李家同 中文版 前言 第1章　绪论 第2章　算法复杂度与问题的下界 2.1　算法的时间复杂度 2.2　最好、平均和最坏情况的算法分析 2.3　问题的下界 2.4　排序的最坏情况下界 2.5　堆排序：在最坏情况下最优的排序算法 2.6　排序的平均情况下界 2.7　通过神谕改进下界 2.8　通过问题转换求下界 2.9　注释与参考 2.10　进一步的阅读资料 习题 第3章　贪心法 3.1　生成最小生成树的Kruka1算法 3.2　生成最小生成树的Prim算法 3.3　单源最短路径

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-01-11
    • 文件大小：12mb
    • 提供者：dwc2126

  1. 算法设计与分析导论R.C.T.Lee等著中文版

  2. 前言 第1章　绪论 第2章　算法复杂度与问题的下界 2.1　算法的时间复杂度 2.2　最好、平均和最坏情况的算法分析 2.3　问题的下界 2.4　排序的最坏情况下界 2.5　堆排序：在最坏情况下最优的排序算法 2.6　排序的平均情况下界 2.7　通过神谕改进下界 2.8　通过问题转换求下界 2.9　注释与参考 2.10　进一步的阅读资料 习题 第3章　贪心法 3.1　生成最小生成树的Kruka1算法 3.2　生成最小生成树的Prim算法 3.3　单源最短路径问题 3.4　二路归并问题 3.5　

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-02-25
    • 文件大小：12mb
    • 提供者：opzhuyi

  1. FDC2214数据手册中文版

  2. FDC2214数据手册翻译版！ 8.5电气特性 除非另有规定，否则保证TA = 25°C，VDD = 3.3 V（1） （1）电气特性值仅适用于所示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件导致 器件的自发热非常有限，因此TJ = TA。在TJ> TA的内部自热条件下，电气表中不能保证参数性能。绝对最大额定值表示结温限制，超过该限制，器件可能会永久降级，无论是机械还是电气。 （2）寄存器值表示为二进制（b是数字的前缀）或十六进制（0x是数字的前缀）。十进制值没有前缀。 （3）在25°C下通过测试

  3. 所属分类：硬件开发

  1. C0G (NP0)AVX ceramic 电容资料

  2. C0G (NP0)AVX ceramic 电容资料 包括尺寸封装 C0G (NP0) is the most popular formulation of the “temperature-compensating,” EIA Class I ceramic materials. Modern C0G (NP0) formulations contain neodymium, samarium and other

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-08-06
    • 文件大小：569kb
    • 提供者：pctanyicheng

  1. 电容知识大全.pdf

  2. 讲述各类电容知识大全，陶瓷电容、铝电解电容、钽电容等。陶瓷电容又分为NP0、C0G、X5R\X7R等不同材质类型，有不同的电气特性。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：577kb
    • 提供者：maple_hj

  1. 贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析

  2. 关于电容NP0、X7R、Y5V、Z5U的区别

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2014-05-17
    • 文件大小：332kb
    • 提供者：richardo_o

  1. 元器件应用中的用HVArc Guard MLCC防止电容器电弧放电

  2. 随着Vishay在高压多层陶瓷电容器(MLCC)技术上的一系列突破，Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC，比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质，电压等级从直流250V到直流1000V。 　　在照明应用中HVArc Guard电容器的优势 　　用于镇流器电路中的MLCC可以在空气中可承受超过1000VDC的高电压。典型照明镇流器的电路框图见图1。电容器容易产生表面闪络和内部击穿。只要出现这两种情况中的一种，由表面闪络引起

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：152kb
    • 提供者：weixin_38692043

  1. 元器件应用中的Syfer推出额定电压4kVdc的更小尺寸电容

  2. Syfer Technology公司推出高性能小尺寸封装的高压电容系列，额定电压为4kVdc，规格有1808、1812、2220和2225，可节省电路板空间并提高设计灵活性，同时还有助于降低成本。此系列电容采用创新设计，减小了器件表面的弧度，适用于电信、工业及军工应用，以及逆变器及LCD背光电路等特殊应用。 　　该系列电容采用C0G (NP0)电介质和X7R电介质，电容值可达5.6nF。例如，采用1808封装的C0G电容的值可达150pF，X7R电容的值可达1nF；2225封装的C0G电容的值可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：28kb
    • 提供者：weixin_38590456

  1. 元器件应用中的C42型、CT42型独石（积层）电容器

  2. C42型独石电容器为1类瓷介(NP0)电容器，适用于高频电路；CT42型独石电容器2类瓷介(X7R,Y5V)电容器，适用于低频电路．它们的外形如图一所示，主要特性参数见表一． 　　图一　C42型、CT42型独石电容器外形 　　表一　C42型CT42型独石电容器主要特性参数 、  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38537777

  1. 元器件应用中的CC4、CT4型独石电容器

  2. CC4、CT4型独石电容器采用1类陶瓷介质(NP0)或2类陶瓷介质(X7R、Y5V)高温烧结而成，可制成各种场合使用的电容器。其中CC4型为1类瓷介电容器，适用于高频电路;CT4型为2类瓷介电容器，主要用于低频电路。它们的外形如图 一所示，主要特性参数见表一和表二． 　　图一　CC4、CT4型独石电容器外形 　　表一　CC4、CT4型独石电容器主要特性参数 　　表二　CC4、CT4型独石电容器标称容量，额定电压与外形尺寸    

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：168kb
    • 提供者：weixin_38545463

  1. 选用正确的陶瓷电容耐压值很重要

  2. 陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式。按照介质不同可分为类I瓷介电容和II类瓷介I电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等等。　　一般来说，电容器的电流不能突变，给它两端加上电压后会对其产生的冲击确定，只要在限定电压内，确保电流不超过额定运

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38713412

  1. PCB设计中的器件封装问题

  2. MLCC温度特性由 EIA 规格与 JIS 规格等制定。分类表，如上图所示，5U/Y5V 、Z5U/Z5V 也已经改为归为第二类，其实也很多场景不再使用。所以，通用 MLCC 大致可分为 I 类（低电容率系列、顺电体）和 II 类（高电容率系列、铁电体）两类。　　一类为温度补偿类 NP0 电介质这种电容器电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。　　二类包括 X5R、X8R、X6S、Y5V 等，主材

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：401kb
    • 提供者：weixin_38565221