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  1. NTMFS4841NT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTMFS4841NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7最大漏极电流Id(on)(A):57通道极性:N封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150描述:30V,57A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-11
    • 文件大小:25kb
    • 提供者:weixin_38743481