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  1. NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同.txt

  2. NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同.txt

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-11-12
    • 文件大小：3kb
    • 提供者：developercn

  1. NAND闪存深入解析.

  2. NAND闪存深入解析.NAND闪存深入解析.

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-03-18
    • 文件大小：704kb
    • 提供者：guokai0101

  1. nand闪存的深入解析_1

  2. nand闪存的深入解析_1 比较全面的解析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-03-25
    • 文件大小：843kb
    • 提供者：jamesstudy001

  1. NAND闪存的工厂编程.pdf

  2. 一、 概况..............................................................................................................................................................3 1. NAND 闪存的种类.......................................................................

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-07-08
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：zjjyliuweijie

  1. 存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

  2. 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。 　　三星（Samsung）早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元（MLC） 3D V-NAND快闪存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：587kb
    • 提供者：weixin_38659248

  1. 一种基于逻辑页平均更新频率的NAND闪存垃圾回收算法

  2. 针对NAND闪存的特点，提出一种基于逻辑页平均更新频率的NAND闪存垃圾回收算法。该算法采用无效页年龄和作为回收块选择策略。同时，在FaGC和GCbAH算法基础之上，重新定义数据热度计算公式，采用逻辑页平均更新频率取代固定阈值作为冷热数据的判定依据，实现了更准确的冷热数据判定和分离。实验结果表明，相较于GR、CB、CAT、FaGC和GCbAH算法，该算法在垃圾回收代价和磨损均衡方面均取得了更好的效果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：444kb
    • 提供者：weixin_38500734

  1. 存储/缓存技术中的东芝推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块

  2. 导读：日前，东芝公司（简称“Toshiba”）宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合最新的e·MMC标准。 　　据报道，东芝公司（简称“Toshiba”）日前宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合最新的e·MMC标准，旨在应用于广泛的数字消费品领域。 　　主要特性： 　　（1）符合最新的JEDEC e·MMC 5.0版标准； 　　（2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38609765

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用

  2. 目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到嵌入式系统中。 　　NAND闪存介绍 　　NOR 和NAND是现在市场上两种主要的非易失性闪存技术。NOR比较适合存储程序代码，其容量一般小于16MB;NAND则是高密度数据存储的理想解决方案，其容量可达1GB以上。NAND闪存的存储单元为页和块。一般

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：187kb
    • 提供者：weixin_38723699

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD

  2. 东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸 SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开始面向个人电脑量产。该公司从09年 7月开始量产32nm级NAND闪存。    此次的开发品被称为采用配备NAND闪存及控制器LSI的印刷底板形式的“模块型”。分别提供了支持“Half Slim”及支持“mSATA”的产品各2款。Half Slim和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38664469

  1. 采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略

  2. NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。 　　I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。 　　低压（LV）系统将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：413kb
    • 提供者：weixin_38680671

  1. TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI

  2. TDK 公司近日宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI，该产品计划于九月份开始销售，生产能力预计为100,000单元/月。GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容。该控制器支持单级单元 (SLC) 和多级单元(MLC) NAND 闪存，实现了从128M字节到1 G字节(SLC) 和256M字节到32G字节(MLC)的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有128针

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38506852

  1. 恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术

  2. 恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。 　　根据新协议，恒忆和海力士将扩大联合开发的范围，共同提供领先的NAND存储器技术和产品，并且整合资源以加快未来NAND技术及解决方案的开发。在应用于手机多芯片封装的移动DRAM领域，双方也将进行合作。 　　恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示：“未来五年，在NAN

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    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：66kb
    • 提供者：weixin_38621082

  1. 为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储

  2. 在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。 　　NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。 　　因为NAND闪存在消费市场上的需求量很高，因而存储成本下降得很快，像POS(销售点)终端、打印机以及

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：125kb
    • 提供者：weixin_38720762

  1. 东芝大容量NAND闪存可用于固态硬盘产品

  2. 东芝(Toshiba)宣布即将推出搭载首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。 　　目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NAND的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38727798

  1. Cypress新款控制器具备多层单元NAND闪存支持能力

  2. 赛普拉斯半导体(Cypress)推出了一款具备多层单元(MLC) NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备，而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC) NAND闪存相比，其成本降低了三倍。     新款控制器提供了与West Bridge Antioch控制器相同的高速USB数据传输性能。在最近一项对顶级多媒体手机的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38617851

  1. 单片机与DSP中的赛普拉斯推出了具备多层单元NAND闪存支持能力的West Bridge外设控制器

  2. 赛普拉斯半导体公司今天前推出了一款具备多层单元（MLC）NAND闪存支持能力的新型West Bridge:trade_mark:外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria:trade_mark:控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备，而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元（SLC）NAND闪存相比，其成本降低了三倍。 　　新款控制器提供了与West Bridge Antioch:trade_mark:控制器相同的领

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38608873

  1. 东芝推出首个对应多值技术的大容量NAND闪存

  2. 东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。 　　目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38606811

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的东芝推出嵌入式NAND闪存

  2. 东芝公司 (Toshiba Corp.) 与其美洲子公司东芝美国电子元件公司　　　 　　(Toshiba America Electronic Components, Inc.) 联合宣布，该公司已经推广了一种新型嵌入式 NAND 闪存系列产品，这一系列产品遵从了 eMMC 标准并且容量达到该行业之最。这种容量为 16GB 的新设备旨在应用于手机和摄像机等移动消费产品。样品将于今年第二季度推出市场，大批量的生产将于第四季度开始。在这之前，东芝将在本月开始推出 8GB 样品，并将于第三季度开始大规

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38628211

  1. 意法半导体（ST）完成NAND闪存产品70nm技术升级

  2. 意法半导体（ST）宣布公司采用70nm 制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512Mb (小页)和1/2/4/8Gb (大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的最先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 　　高密度的存储器芯片为各种计算机和消费电子应用产品提供海量数据存储功能，例如，数码相机、PDA、GPS导航系统、闪存卡和U盘、打印机、机顶盒（STB）、数字电视机、汽车多媒体系统和多媒体手机。 　　该系列全部产品都具有速度极快的数据传输和擦除功能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38678172

  1. 模拟技术中的英特尔联合美光研发高速NAND闪存技术

  2. 据国外媒体报道，英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术，传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。 　　这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成，该技术符合最新的接口规范定义，即所谓的开放式NAND闪存接口(ONFi)工作组制定的ONFi2.0标准，该标准定义了高速NAND闪存接口速度为133MB/s。而先前的NAND闪存的传输数率最高不超过50MB/s。难怪当应用于固态硬盘之时，如此的传输数率将无疑会牵制相关程序的运行速度。 　　通过对双倍速率信令(double

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：66kb
    • 提供者：weixin_38732842
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