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搜索资源列表

  1. 水文频率计算程序（ PⅢ型）

  2. 这是本人编的水文频率计算程序（ PⅢ型），内含测试资料，包括资料连续和不连续两种。

  3. 所属分类：VB

    • 发布日期：2012-10-13
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：congfei900128

  1. 整流滤波电路(1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成)

  2. 1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-10-14
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：ctgukuang

  1. 海思-P型模组电源编码版&扩展板接口说明(V2.03模块)

  2. 海思-P型模组电源编码版&扩展板接口说明(V2.03模块)

  3. 所属分类：网络设备

    • 发布日期：2014-05-01
    • 文件大小：814kb
    • 提供者：qq_15032005

  1. 海思-P型模组电源编码版&扩展板接口说明

  2. 海思-P型模组电源编码版&扩展板接口说明

  3. 所属分类：网络监控

    • 发布日期：2014-05-01
    • 文件大小：814kb
    • 提供者：hivixun

  1. 使用p型点接触锗探测器搜索违反原子跃迁和电子衰变的Pauli排除原理

  2. 搜索使用Pauli排除原理违反Kα电子跃迁是使用89.5 kg-d的数据与在Kimballton地下研究设施操作的p型点接触高纯锗探测器收集的。 90％C.L时，过渡寿命的下限为5.8×1030 s。 通过寻找在跃迁之后存在的X射线和俄歇电子产生的10.6 keV峰来设置。 进行了类似的分析以寻找原子K-shel的衰减

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-22
    • 文件大小：658kb
    • 提供者：weixin_38607282

  1. ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光

  2. ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光，叶志镇，曾昱嘉，本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：272kb
    • 提供者：weixin_38514501

  1. n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结高温伏安特性及机制分析

  2. n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结高温伏安特性及机制分析，桑丹丹，陈怀毅，本文在制备好的n型ZnO纳米棒/ p型金刚石异质结的基础上，对其进行伏安特性测试。主要研究了n型ZnO纳米棒/ p型金刚石异质结整流特性曲�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：391kb
    • 提供者：weixin_38692202

  1. Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

  2. Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征，蔡晖，张志远，使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。在不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-21
    • 文件大小：332kb
    • 提供者：weixin_38730840

  1. Ag2Te掺杂对P型Bi0.5Sb1.5Te3块状合金热电性能的影响

  2. Ag2Te掺杂对P型Bi0.5Sb1.5Te3块状合金热电性能的影响，沈俊杰，朱铁军，采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术 (SPS) 制备得到了(Ag2Te)x(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x （x= 0, 0.025, 0.05, 0.1） 系列样品，性能测试表明，Ag2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：492kb
    • 提供者：weixin_38576045

  1. ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响

  2. ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响，司杭，何海燕，本文利用第一性原理的方法，系统地研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，同时用单个Li和N原子分别去替代Zn和O原子(记为Li

  3. 所属分类：其它

  1. 表面效应对Li 掺杂的ZnO薄膜材料P型电导的影响

  2. 表面效应对Li 掺杂的ZnO薄膜材料P型电导的影响，司杭，何海燕，我们利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，分别用Li原子去替位Zn原子（记为LiZn）后的相对稳定性和�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：489kb
    • 提供者：weixin_38697579

  1. 松下P型指令用法详解.rar

  2. 松下P型指令用法详解rar,松下P型指令用法详解

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-14
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 基于TiO2/Perovskite/P3HT结构的n-i-p型钙钛矿电池的电极界面优化与器件性能

  2. 以TiO2/钙钛矿（PVSK）/P3HT的n-i-p型钙钛矿电池作为研究对象,研究了TiO2薄膜退火温度对TiO2薄膜的结晶性、基于此的钙钛矿薄膜的形貌以及光伏器件性能的影响,比较了P3HT的掺杂以及不同批次P3HT材料对钙钛矿太阳能电池器件性能的影响。结果表明:TiO2薄膜的退火工艺及P3HT的批次对器件性能影响较大。TiO2薄膜的制备工艺设为退火温度为300℃,退火时间为45min,提高TiO2的退火温度到500℃,钙钛矿太阳能电池的效率可提高到11.27%.通过优化钙钛矿薄膜厚度为190n

  3. 所属分类：其它

  1. p型mos管导通条件

  2. p型mos管导通条件 靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。 P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38663151

  1. 简析P型和N型半导体

  2. 如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。如图1所示。 N型半导体如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：143kb
    • 提供者：weixin_38665046

  1. 一种配电自动化系统在P型配电站的实现

  2. 本文主要介绍一种配电自动化系统在P型配电站的实现。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：102kb
    • 提供者：weixin_38558054

  1. 不干胶打印模板 p型刀型线缆标签30格84026.xls

  2. 不干胶打印模板 p型刀型线缆标签30格84026.xls不干胶打印模板 p型刀型线缆标签30格84026.xls不干胶打印模板 p型刀型线缆标签30格84026.xls

  3. 所属分类：Microsoft

    • 发布日期：2020-09-02
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：zjfm881h

  1. 元器件应用中的DWS-P型氯化锂湿敏电阻器参数

  2. DWS-P型氯化埋湿敏电阻器是一种新型湿敏电阻器，它采用真空镀膜工艺在玻璃片上镀上一层梳状金电极，然后在电极上涂上一层由氯化锤和聚氯乙烯醇等配制的感湿膜。由于聚氯乙烯醇是一种粘合性很强的多孔性物质，它与氯化锤结合后，水分子会很容易在感湿膜中吸附或释放，从而使湿敏电阻器的电阻值发生迅速的变化。为了提高湿敏电阻器的抗污染能力，还在湿敏电阻表面涂敷一层多孔性保护膜。同样，要求湿度测量范围较大时，需要将多个湿敏电阻器组合使用才行。 　　下表列出了DWS-P型氯化埋湿敏电阻器的主要技术参数。   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：77kb
    • 提供者：weixin_38699492

  1. 元器件应用中的DWS-P型氯化锤湿敏电阻器的主要技术参数

  2. DWS-P型氯化埋湿敏电阻器是一种新型湿敏电阻器，它采用真空镀膜工艺在玻璃片上镀上一层梳状金电极，然后在电极上涂上一层由氯化锤和聚氯乙烯醇等配制的感湿膜。由于聚氯乙烯醇是一种粘合性很强的多孔性物质，它与氯化锤结合后，水分子会很容易在感湿膜中吸附或释放，从而使湿敏电阻器的电阻值发生迅速的变化。为了提高湿敏电阻器的抗污染能力，还在湿敏电阻表面涂敷一层多孔性保护膜。同样，要求湿度测量范围较大时，需要将多个湿敏电阻器组合使用才行。    表列出了DWS-P型氯化埋湿敏电阻器的主要技术参数。       

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38683193

  1. OO键稳定的锌空位是Σ7ZnO晶界上p型掺杂的起源

  2. OO键稳定的锌空位是Σ7ZnO晶界上p型掺杂的起源

  3. 所属分类：其它

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