采用光刻技术、刻蚀技术和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在线阵掩模微结构表面沉积了SiO2和Si3N4薄膜，研究了线阵掩模的宽度和厚度,以及薄膜的厚度和沉积速率对SiO2和Si3N4薄膜复形性的影响，制备得到了具有良好微结构形貌的微结构滤光片阵列。结果表明，薄膜沉积速率越大，薄膜的复形性越好；掩模厚度和薄膜沉积厚度的增加会导致薄膜的复形性变差；SiO2薄膜的复形性优于Si3N4薄膜的。