注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 0.1μmT型栅PHEMT器件

  2. 0.1微米T型栅工艺及器件性能研究，良好的器件性能

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-12
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：ramble2010

  1. 课件PHEMT简介及应用

  2. 对phemt的简介。从最基础的异质结开始进行介绍，然后对HEMT结构的介绍，由于HEMT结构所存在的缺陷，在此基础上衍生除了PHEMT结构

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-03-24
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：tiantanqing

  1. PHEMT MMIC功率放大器设计与实现

  2. 本文对PHEMT MMIC功率放大器进行了全面的优化设计和实现，并通过功放硬件电路实测，测试结果证明了设计方案的可行性，功放电路的增益与理论基本一致，满足系统的性能要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38668243

  1. DC-30 GHz GaAs pHEMT分布式功率放大器设计

  2. 采用 0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器，详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善。仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz，小信号增益约为8.5 dB，1 dB压缩点输出功率约为21 dBm，功率附加效率最高能达到20%以上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：469kb
    • 提供者：weixin_38705252

  1. 利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA

  2. 在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法。随之而来的是对工作于X频段(8GHz)的低功率(电池供电)LNA设计的探索。设计比较了在目标是工作于的几毫瓦DC电源的单片微波集成电路(MMIC)中，GaAs PHEMT增强型(E模式)和耗尽型(D模式)晶体管的使用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：404kb
    • 提供者：weixin_38540819

  1. 设置时间不到20ns的GaAs pHEMT微波开关

  2. 开关速度是个涉及多个事件的复杂参数，每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件——开关的设置时间——的方法，从而给基于分组通信网络和雷达系统等须严格控制时域参数的系统带来了福音。在从10MHz到20GHz这一系列开关中都采用了该技术，其设置时间可短至20ns。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：343kb
    • 提供者：weixin_38701952

  1. 快速设置的GaAs pHEMT微波开关

  2. 开关速度是个涉及多个事件的复杂参数，每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COMTechnologySolutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件——开关的设置时间——的方法，从而给基于分组通信网络和雷达系统等须严格控制时域参数的系统带来了福音。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：225kb
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 设置时间不到20ns的GaAs pHEMT微波开关

  2. 开关速度是个涉及多个事件的复杂参数，每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件——开关的设置时间——的方法，从而给基于分组通信网络和雷达系统等须严格控制时域参数的系统带来了福音。在从10MHz到20GHz这一系列开关中都采用了该技术，其设置时间可短至20ns。 　　开关速度和设置时间(settling time)，或者栅迟滞(gate lag)，都被用来描述

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：248kb
    • 提供者：weixin_38722721

  1. 模拟技术中的PHEMT MMIC功率放大器设计与实现

  2. 0  引  言 　　随着微波通信技术的发展，人们对通信系统的要求越来越高，比如小型化、可靠性等，微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性，成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一，当前，PHEMT MMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。本文的功率放大器便是采用PHEMT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：277kb
    • 提供者：weixin_38610513

  1. RFID技术中的安捷伦为3G基站提供高线性度E-pHEMT MMIC系列混频器

  2. 安捷伦科技公司(Agilent Technologies)宣布推出一款高线性度、低本地频率振荡器(LO) E-pHEMT微波单片集成电路(MMIC)有源混频器——IAM-93516，满足了基站设备(BTS) 3G基站无线卡和其它点对点和点对多点微波无线链路应用对关键性能的要求。　　安捷伦IAM-93516高线性度混频器是安捷伦混频器系列中的新增产品。它不仅实现了高线性度，还提供了业内最低的LO驱动器、低功耗和更宽的工作频率范围。它的RF和LO的运行频率的输入范围为400-3000MHz，IF输出

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38623009

  1. 元器件应用中的Hittite低噪中功率GaAs PHEMT MMIC放大器适于微波应用

  2. Hittite Microwave公司推出三款新型 GaAs PHEMT MMIC放 大器——HMC342LC4、 HMC441LC3B和HMC442LC3B，适用于6至25.5GHz  频率范围的点对点、点对多点、调试设备、传感 器和军事应用。     HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声 放大器，它采用符合RoHS要求的4×4mm SMT封装， 工作频率范围在13至25GHz。该放大器增益22dB， 噪声系数3.5dB，其RF I/O阻抗50Ω，内部直流 阻断，从而简

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38546789

  1. 电源技术中的4.9到6.0GHz低噪声放大器E-pHEMT的设计（二）

  2. 输出高通网络由串连电容C3、并联电感L4组成。该带通网络可提供额外的低频增益抑制实现如下几个目的：首先，增强的低频信号抑制会降低LNA对较强低频信号发射的易感性，且较强的低频发射会使LNA饱和，给带内性能带来不利影响。其次，因为低频增益峰值通常与K值降低有关，低频增益抑制也提高了LNA的稳定性。 　　因L1也被用来输入栅压，在额定工作频率下，电感必须由C4适当地旁路掉，这可以增强低频稳定性。 R1和C5提供一个较好的低频电阻终端，从而提高低频率的稳定性。如果C4的值太大，L1和C4的串联谐振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 电源技术中的4.9到6.0GHz低噪声放大器E-pHEMT的设计（一）

  2. 低噪声放大器(LNA)对于增大微波接收机的灵敏度和接收范围是非常重要的。为了满足在4.9-6.0GHz(覆盖了IEEE 802.11a, HiperLAN2和 HiSWANa的无线局域网WLAN(wireless local area network)接收机的使用范围)的范围内使用，一项基于E-pHEMT设备技术的两极设计可以使放大器在5.5GHz时具有22.2dB增益、低噪声指数1.4dB、线性输出功率(P-1dB) +11.5 dBm以及三阶输出截距点(OIP3) +28 dBm。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：82kb
    • 提供者：weixin_38619967

  1. 通信与网络中的安捷伦高线性度E-pHEMT FET

  2. 安捷伦科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，在其高线性度E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) FETs (场效应管) 产品系列中增加两款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，安捷伦新推出的ATF-52189和ATF-53189及早先推出的ATF-50189单电压E-pHEMT FET进一步简化了将50 MHz - 6 GHz基站升级到更高通道容量的工作。 安捷伦科技半导体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38693506

  1. 应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术

  2. 谢常青，陈大鹏，李兵，叶甜春(中国科学院微电子中心，北京，100010)摘要：PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波／毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题，一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件，因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：106kb
    • 提供者：weixin_38721811

  1. 通信与网络中的基于E-PHEMT的LNA电路的设计

  2. 基于E-PHEMT的LNA电路的设计 上海交通大学 吴鹏 引言 LNA在今天的通信系统中多用在接收机前端的第一级。它的主要功能是在不添加额外噪声的情况下尽量放大输入小信号，从而在低功率点上保证所需的信噪比。另外，对于大信号，LNA应该尽量做到在不失真的情况下放大输入信号，因而消除信道串扰。合适的LNA设计在当今的通信系统设计中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38523618

  1. 用于无线应用的基于PHEMT的宽带LNA

  2. 用于无线应用的基于PHEMT的宽带LNA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：384kb
    • 提供者：weixin_38665804

  1. GaAs pHEMT等效电路参数的直接提取

  2. 提出了一种新的直接参数提取方法，用于确定伪高电子迁移率晶体管的小信号等效电路模型。 该方法是测试结构方法和分析方法的组合，不涉及数值优化。 在2 x 20微米和2 x 40微米的栅极宽度（栅极指的数量x单位栅极宽度）和0.15微米的pHEMT中，在50 MHz频率范围内（类似于40 GHz），在仿真结果和测量结果之间取得了很好的一致性。偏差点范围广。 还通过比较在类似于110 GHz频率的75频率范围内测量和模拟的S参数来进行模型验证，这表明该方法对类似于110 GHz频率范围的50 MHz有效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38560039

  1. 基于26 GHz宽带和低相位噪声pHEMT的VCO

  2. 基于26 GHz宽带和低相位噪声pHEMT的VCO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1009kb
    • 提供者：weixin_38698311

  1. 芯片级PHEMT热特性等效方法

  2. 芯片级PHEMT热特性等效方法

  3. 所属分类：其它

« 12 3 4 5 »