我们报道了在SiC衬底上的双层外延石墨烯中的改进的金属-石墨烯欧姆接触，其接触电阻低于0.1Ω.mm。 在这项工作中，在4H-SiC衬底上制备了单层和双层外延石墨烯。 它们的接触电阻通过转移长度法测量。 使用一种改进的无光致抗蚀剂的器件制造方法，并将其与常规器件制造方法进行比较。 与单层石墨烯相比，双层石墨烯的接触电阻Rc从平均0.24Ωmm提高到0.1Ωmm。 Landauer方法的欧姆接触形成机理分析表明，双层外延石墨烯获得的低欧姆接触电阻是由于其高载流子密度，高载流子传输概率以及接触金属A
