频谱分析仪的电流模式一般有自10Hz低频起始的频率响应。当与1Hz或带宽更窄的 FET 软件结合使用时，现代频谱分析仪就具备了扩展的低频性能，使之成为设计与调试高性能模拟电路不可或缺的工具。不幸的是，主要面向RF应用的频谱分析仪典型输入阻抗为50Ω，当用于许多高阻抗模拟电路时，这是一个重负载。与 50Ω输入串接一个 953Ω电阻器可以改善阻抗显得略高的探头，但这种方法也只能提供1kΩ的输入阻抗，而测试的信号则会降低26 dB。　　此外，大多数 RF 频谱分析仪都缺少交流耦合功能，因此，任何直流输

最近主要的半导体制造商承认：研发和生产先进的IC芯片非常需要晶圆级的射频(RF)测试。在一定程度上，这公然与2003年ITRS技术工作组对于建模与仿真的建议不符，该建议表明:“对于RF精简模型的参数提取，更应该尽力压缩RF测试。 如果需要，应该通过支持仿真的标准I-V和C-V测试来提取这些参数。”  问题之一是对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，