近期，凭借第七代高压（HV7）射频 LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔的这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术首次在这一领域获得重大突破。 　　飞思卡尔已经提供了一系列12V GaAs假晶高电子迁移率晶体管 （PHEMT）产品，并计划继续开发高压GaAs PHEMT技术，推出更高功率的GaAs器件，在WiMAX系统中使用，另外也适用于2 GHz和6 GHz频段之间的其它应用。 　

晶体管的选择范围        无线基础设施业的首款LDMOS晶体管的目标是满足最高频率 达3.8 GHz的WiMAX的严格要求            采用其第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，飞思卡尔半导体公司(FreescaleSemiconductor)（纽约证券交易所：FSL）（纽约证券交易所：FSL.B）已经实现了在3.5 GHz频带上运行的WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔公司的成功标志着制造商首次解决了射频外侧扩散金属氧化物半导体（RF Laterally Dif