对卫星和蜂窝基站来说，一个由Toshiba公司提供的GaN（氮化镓）功率场效应管（FET）在输出功率上超过了GaAs（砷化镓）器件，功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的额定输出功率大约为90W/6 GHz和30W/14 GHz，而相比之下，GaN的饱和电子速度、介质击穿电压和工作温度范围都要高于GaAs。对于在GHz级工作频率条件下实现更高的输出功率而言，这些因素是很重要的。这款器件采用了一种外延层结构，具有优化的FET布局和尺寸设置，并运用了一种旨在实现低接触电阻和低栅极漏电流的新