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搜索资源列表

  1. A Methodology For Converting Polygon Based Standard Cell From Bulk CMOS To SOI CMOS

  2. A Methodology For Converting Polygon Based Standard Cell From Bulk CMOS To SOI CMOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-12-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：jiankangshiye

  1. SOI技术的发展与研究现状

  2. 本文阐明了SOI技术的发展与研究现状，并且简要介绍了SOI技术的工作原理

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-05-16
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：zyw195711

  1. 8K×8+SOI+SRAM单粒子效应实验研究

  2. 8K×8+SOI+SRAM单粒子效应实验研究，有用的论文

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-06-14
    • 文件大小：514048
    • 提供者：vincentcncn

  1. 基于SOI工艺的高压LED驱动设计

  2. 基于SOI工艺的高压LED驱动设计及其关键技术 在厚度的影响下耐压的变化

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2013-11-20
    • 文件大小：975872
    • 提供者：u012899343

  1. SOI 工艺技术

  2. ASIC 开发的文档，有助于理解SOI 工艺

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-03-19
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：u014210876

  1. SOI 课程文档

  2. SOI 课程文档， 2012年 Cadence SOI Conference。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2015-12-17
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：qq_33411746

  1. losses in single-mode SOI strip waveguides and bens

  2. losses in single-mode SOI strip waveguides and bens

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2016-02-12
    • 文件大小：859136
    • 提供者：anecdotist

  1. ArcGIS Server SOI 水印

  2. 利用ArcGIS Server SOI功能给地图添加水印的DEMO

  3. 所属分类：C#

    • 发布日期：2016-03-15
    • 文件大小：66560
    • 提供者：u010520626

  1. SOI压力传感器在支架工作阻力监测中的应用

  2. 为了提高液压支架工作阻力监测的可靠性,研制了一种新型硅基SOI压力传感器。该传感器将双层电阻栅应变计与不锈钢弹性体相熔合,控制电路采用定值定时采样模式,保证了数据的有效性和连贯性。现场应用结果表明,新型硅基SOI压力传感器监测数据准确,可用于矿井顶板压架事故分析。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-05
    • 文件大小：590848
    • 提供者：weixin_38674415

  1. 考虑埋氧层电荷时的SOI高压器件纵向耐压模型

  2. 考虑埋氧层电荷时的SOI高压器件纵向耐压模型，郭宇锋，罗晓蓉，本文建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型，该模型表明，在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-01
    • 文件大小：338944
    • 提供者：weixin_38678255

  1. 埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响

  2. 埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响，郭宇锋，张波，本文通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程，建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：348160
    • 提供者：weixin_38613548

  1. 双层电阻栅SOI应变计的设计及其在煤矿的应用

  2. 设计了一种微熔结构的双层电阻栅SOI应变计,该应变计利用热生长氧化、光刻、刻蚀等工艺方法进行制作,解决了通常SOI应变计体电阻阻值小、易受污染的问题,提高了应变计的精度、绝缘性和工作稳定性。现场试验结果表明,利用该应变计制作的煤矿钻孔应力计测量数据准确,工作稳定可靠,适用于煤岩体应力监测。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-29
    • 文件大小：225280
    • 提供者：weixin_38679178

  1. 28-nm UTBB FD-SOI与22-nm Tri-Gate FinFET评估：设计指南-第一部分

  2. 如今，晶体管技术正朝着完全耗尽的架构发展。 随着晶体管尺寸变得越来越小以实现高性能，特别是在节点28 nm处，体晶体管的制造变得越来越复杂。 这是讨论体晶体管的基本缺点并解释两种替代晶体管的两篇论文中的第一篇：28 nm UTBB FD-SOI CMOS和22 nm Tri-Gate FinFET。 随附的第二部分论文着重于这些替代方案及其物理性能，电气性能和可靠性测试之间的比较，以在选择不同的移动媒体和消费者的应用程序时正确设置首选项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38587924

  1. 28-nm UTBB FD-SOI与22-nm Tri-Gate FinFET的综述：设计指南-第二部分

  2. 这是一个由两部分组成的论文的第二部分，该论文探讨了28纳米UTBB FD-SOI CMOS和22纳米Tri-Gate FinFET技术，作为大体积晶体管的更好替代方案，尤其是当晶体管的结构将要完全耗尽且其尺寸缩小时正在变得更小，28纳米及以上。 首先讨论这些替代方案的可靠性测试。 然后，在两个替代晶体管之间进行比较，比较它们的物理特性，电气特性以及它们在不同应用中的偏好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38625416

  1. 不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响

  2. 基于0.2 μm SOI RF工艺平台，设计了串联支路、并联支路、单刀单掷、单刀双掷等电路结构，分析研究了单级宽度、级联数目、偏置电阻、偏置电压等设计参数对射频开关小信号特性的影响。通过实验数据，讨论各参数对射频开关小信号特性，主要包括射频开关的插入损耗和隔离度的影响，为射频开关设计提供参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：600064
    • 提供者：weixin_38688145

  1. 深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

  2. 为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：324608
    • 提供者：weixin_38685600

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的上海微系统所研制成功的8英寸键合SOI晶片

  2. 中科院上海微系统与信息技术研究所日前宣布，由王曦研究员领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所原名中国科学院上海冶金研究所，是中国着名的技术学科综合性研究所之一。2001年8月，根据研究所近年来科研领域的变迁和科技发展战略目标的调整，经中国科学院和国家有关部门批准将所名更改为中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 　　该研究小组过去建立了我国第一条高端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38663151

  1. 一种具有变漂移区宽度的新型SOI横向高压器件

  2. 本文提出了一种具有变漂移区宽度结构的新型的 SOI 横向高压器件，该结构通过漂移区内的侧壁氧化层改变漂移区的宽度。借助三维器件仿真软件 davinci 对其耐压特性进行了深入分析。结果表明，变漂移区宽度结构不但可以使击穿电压提高 31.5%，而且可以使漂移区掺杂浓度提高 83%。从而降低漂移区电阻。同时，变漂移区的侧壁氧化层可以通过介质隔离技术得到，无需多余的掩膜版。因此具有工艺简单，工艺成本低等优点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38588854

  1. 应用于移动手机的SOI线性射频功率放大器的设计

  2. 主要研究采用IBM公司SOI 0.18 μm CMOS工艺设计应用于1.95 GHz WCDMA发射机的全集成线性功率放大器的设计方法。电路采用三级AB类放大器级联结构，模拟结果显示，在工作电压为2.5 V的情况下，CMOS射频功率放大器工作稳定，1 dB压缩点输出功率约为30 dBm，增益约为28 dB，最大功率增加效率(PAE)约为42％

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：500736
    • 提供者：weixin_38716872

  1. 基础电子中的SOI微电子技术简介

  2. SOI（Silicon－On－Insulator，绝缘层上覆硅）技术的出现虽然已有30多年，但是取得突破性进展是在20世纪80年代后期。最初人们仅认为SOl技术有可能替代在特殊场合应用的SOS（Silicon～On－Sapphire）技术。然而，由于发现薄膜SOl MOSFET具有极好的按比例缩小性质，使得SOl技术在深亚微米VLSI中的应用具有极大的吸引力，潜力很大。最后，SOl技术和器件的研发取得了惊人的进展，己从首次激光再结晶实验发展到CMOS ／ SIMOX SRAM及以硅基SOl微电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：125952
    • 提供者：weixin_38686187
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