针对绝缘体上硅（SOI）沟槽横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）的表面电场分布和击穿电压，建立了一个新的分析模型。 该模型基于二维Laplace解和Poisson解，考虑了结构参数（例如漂移区的掺杂浓度，沟槽的深度和宽度）对表面电场的影响。 此外，获得了击穿电压的简单分析表达式，这提供了获得最佳高压的有效方法。 所有分析结果与模拟结果吻合良好。