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  1. SOI波长信号分离器的研制

  2. 根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的SOI材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出SOI波长信号分离器，在波长为1.3 μm时，其插入损耗为4.81 dB，串音小于-18.6 dB。

  3. 所属分类：其它