0 引言 　　压力传感器是使用最为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量轻，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、可靠性高。 　　高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高

硅-硅直接键合技术（Silicon direct bonding, SDB）是键合技术中提出较晚，但是发展最为迅速，人们研究最多，应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生剧烈的物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成统一整体。硅-硅直接键合技术是IBM公司的Lasky等人在1985年的国际电子器件年会上首先提出[5]，主要目的是提出了一种制备高质量的SOI（Silic

绝缘体上硅(SOI)技术已有30多年的历史，它开始于20世纪60年代的蓝宝石上异质外延硅(SOS)。SOI技术的发展可以分为3个阶段[27~29]：第一阶段是在20世纪60年代，蓝宝石上异质外延硅（SOS）技术制备SOI材料，用于开发微处理器电路；第二阶段出现在20世纪80年代初期，提出了在硅衬底上离子注入氧原子，再经过高温退火使氧与硅原子发生反应生成一层SiO2，SiO2上面是一层很薄的硅层，这就是注氧隔离技术（SIMOX）, 主要开发了作为抗辐射器件的SRAM；第三阶段在20世纪80年代中期

0 引言 　　压力传感器是使用为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量轻，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、可靠性高。 　　高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温

压力传感器是使用为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量轻，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、可靠性高。 　　高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温油品液位与检测、