电子设备制造商Surface Technology Systems (STS)公司宣布，将开发一种新的深反应离子蚀刻(DRIE)电浆源，该系统将与大量制造IC时所使用的12英寸晶圆有高度兼容性。     DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所发明、STS所开发的一项重要硅基微细加工技术，该加工法在MEMS的制造过程中已有长达十年的历史。随着电路的越渐复杂及装置速度的提升，产业需求逐渐倾向于将细薄的芯片采用堆栈方式，而非将所有的功能组件都整合于一颗平面的系统单芯片(SoC)