基于滑石的浅色Sb掺杂SnO2复合导电粉末的制备与表征，吕凤柱，冯雪，经济而浅色的导电填料在静电防治和电磁屏蔽领域具有很好的应用前景。为此在天然滑石的基础上采用化学共沉淀的方法制备了Sb 掺杂SnO

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备了Sb∶SnO2/SiO2复合膜。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜样品的表面形貌,利用紫外-可见光谱,p-偏振光反射比角谱研究了复合薄膜的光学特性。结果表明,薄膜中的晶粒具有纳米尺寸(～35 nm)的大小,比表面积大,孔隙率高;薄膜的透光率高,可见光波段近95%;其光学禁带宽度约3.67 eV。因此Sb∶SnO2/SiO2纳米复合膜可作为气敏薄膜的理想选择。通过对三种不同的气体C3H8,C2H5OH及NH3气敏特性的测试表明,Sb掺杂大大提高了SnO2

基于平面波赝势密度泛函理论，采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质。计算结果表明，与本征SnO2 比较，Sb 掺杂SnO2 的性质，包括能带结构、态密度、电荷密度及光学性质等均随Sb 的掺杂浓度变化。Sb 掺杂相比本征SnO2的带隙要窄，带隙随Sb 掺杂浓度的增加逐渐变窄，并且浅施主杂质能级逐渐远离导带底。Sb 掺杂改变了SnO2可成键性质，随着掺杂浓度的增加，共价性减弱，金属性增强。光学性质计算结果显示随着掺杂浓度的增加，态密度和介电函数虚部向低能方向移动