通过测量基频光波长为1.064 μm时几个不同掺杂类型和掺杂浓度的Si(100)(2×1)样品表面反射二次谐波强度随温度的变化关系,说明在此波长上二次谐波不是来源于表面耗尽场的影响,而是来源于表面态电子。Si(100)(2×1)表面反射二次谐波强度反比于温度的平方。本文提出了一个简单模型,给出了初步解释。