介绍了多晶硅发射极双台面SiGe／Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD 在n型Si衬底j二外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区 台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行 研究，探索出关键工艺的控制方法，并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe／Si 异质结双极晶体管进行了，一y特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小，欧姆接触良 好，直流电流放大倍数口随，。变化不大，截止频率最高达到

SiGe/Si HBT是一种以Si为衬底的新型器件，与传统的双极型晶体管相比，SiGe/Si HBT具有很多优点，包括高电流增益，良好的频率特性和低噪声，能带工程和掺杂工程的引进使得设计更加自由。本论文描述了SiGe/Si HBT的基本制作工艺流程，研究了SiGe材料外延工艺，发射极台面刻蚀工艺，N型掺杂多晶硅和硅化物制作工艺，并且探究了一种关键过程控制方法。这种最大电流增益的NPN SiGe/Si HBT是通过下面工艺流程制作的。