2012年，Spansion公司宣布其首个单层单元（SLC）系列NAND闪存产品开始出样，并同时公布了未来五年的技术规划图：包括将采用4x nm浮栅技术的1Gb到8Gb SLC NAND解决方案，在2012年底升级至3x nm浮栅技术，并在2014年升级至2x nm。 　　两年过去了，Spansion日前的确又推出了新的NAND闪存产品。不过，此番推出的NAND产品并非是规划中宣称的20nm SLC NAND产品，而是面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。 　　S

2012年，Spansion公司宣布其单层单元（SLC）系列NAND闪存产品开始出样，并同时公布了未来五年的技术规划图：包括将采用4x nm浮栅技术的1Gb到8Gb SLC NAND解决方案，在2012年底升级至3x nm浮栅技术，并在2014年升级至2x nm。 　　两年过去了，Spansion日前的确又推出了新的NAND闪存产品。不过，此番推出的NAND产品并非是规划中宣称的20nm SLC NAND产品，而是面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。 　　Spa