点数信息
www.dssz.net
注册会员
|
设为首页
|
加入收藏夹
您好,欢迎光临本网站!
[请登录]
!
[注册会员]
!
首页
移动开发
云计算
大数据
数据库
游戏开发
人工智能
网络技术
区块链
操作系统
模糊查询
热门搜索:
源码
Android
整站
插件
识别
p2p
游戏
算法
更多...
在线客服QQ:632832888
当前位置:
资源下载
搜索资源 - TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
下载资源分类
移动开发
开发技术
课程资源
网络技术
操作系统
安全技术
数据库
行业
服务器应用
存储
信息化
考试认证
云计算
大数据
跨平台
音视频
游戏开发
人工智能
区块链
在结果中搜索
所属系统
Windows
Linux
FreeBSD
Unix
Dos
PalmOS
WinCE
SymbianOS
MacOS
Android
开发平台
Visual C
Visual.Net
Borland C
CBuilder
Dephi
gcc
VBA
LISP
IDL
VHDL
Matlab
MathCAD
Flash
Xcode
Android STU
LabVIEW
开发语言
C/C++
Pascal
ASM
Java
PHP
Basic/ASP
Perl
Python
VBScript
JavaScript
SQL
FoxBase
SHELL
E语言
OC/Swift
文件类型
源码
程序
CHM
PDF
PPT
WORD
Excel
Access
HTML
Text
资源分类
搜索资源列表
TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时,首先是如何提高晶体管的反压,降低集电区杂质浓度NC。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:255kb
提供者:
weixin_38704701
TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时,首先是如何提高晶体管的反压,降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大,集电区体电阻上的电压降会增大,从而使饱和压降增大到不允许的程度。而减小NC又会使空间电荷限制效应发生,从而造成大电流β的急剧下降。为解决上述矛盾,设计时一般采用外延结构。 事实上,TIP41C低频大功率平面晶体管在设计上应采用深扩散、厚基区、大面积宽电极等结构,管芯的纵向尺寸应比较厚,横向尺寸应比较宽
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-08
文件大小:182kb
提供者:
weixin_38563176