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搜索资源列表

  1. TMOS 功率场效应晶体

  2. 本书讲解了功率MOSFET特性，对打功率MOSFET的保护，栅极驱动要求等等

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-10-12
    • 文件大小：9mb
    • 提供者：ninazhouster

  1. iRules的介绍---F5中的重要内容

  2. iRule是F5 BIG-IP设备提供的功能强大的灵活特性，它是基于F5独一无二的TMOS架构。iRule将给你带来无与伦比的对流量的直接操控和对任意IP应用流量的管理。iRules使用的是简单易用的脚本语法，可以让你自定义如何截取，检查，转换和引导inbound和oubound的应用流量

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-02-20
    • 文件大小：325kb
    • 提供者：mengdegen

  1. CHA Command File Language

  2. 爱立信OSS中的OPS编程语言 This document is intended for users of the Telecommunications Management and Operations Support (TMOS). The document describes the Command Handling Application (CHA), which provides an interface for command file handling in TMOS. The

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-06-30
    • 文件大小：306kb
    • 提供者：qiu034

  1. 负载均衡Irules编程宝典

  2. iRules是基于F5 TMOS操作系统的开放脚本语言，为F5设备提供灵活强大的定制功能，基于TCL语法的iRules可以方便的加入到F5设备内部，处理通过F5设备的网络流量，控制各种协议和应用数据。每个iRules必须包含事件、命令和逻辑三部分才可以有效运行，通过这三个部分的灵活组合和排序可以定制IP层面以上的数据流量处理功能，提高和增强F5设备的灵活性和功能性。同时，高效的使用iRules定制某些应用功能，可以大大降低应用系统的研发成本，简化研发复杂程度，提高应用系统性能，减少计划内外当机

  3. 所属分类：金融

    • 发布日期：2013-01-30
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：syangcumt

  1. CHA Command File Language 爱立信OSS中的OPS编程语言

  2. 爱立信OSS中的OPS编程语言 This document is intended for users of the Telecommunications Management and Operations Support (TMOS). The document describes the Command Handling Application (CHA), which provides an interface for command file handling in TMOS. The

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-05-22
    • 文件大小：171kb
    • 提供者：qiu034

  1. BIG-IP 链路控制器 big-ip-link-controller-ds

  2. BIG-IP 链路控制器 对多个WAN ISP连接的可用性和性能进行无缝监督，对双向数据流进行智能管理，提供具有容错功能遥最佳因特网接入。 BIG-IP 链路控制器 充分利用了F5的TMOS构架，从而改进链路性能与出色的可用性，同时还可提供灵活强大的状态检查功能，完善的安全性以及改进的易用性。

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2014-11-21
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：hhf300

  1. F5 201考试考点

  2. F5 201 TMOS 管理员考点总结

  3. 所属分类：系统集成

    • 发布日期：2018-09-23
    • 文件大小：208kb
    • 提供者：qq_28763249

  1. F5 LTM training

  2. F5 LB LTM training - F5产品概述 - LTM安装 - TMOS体系架构 ...

  3. 所属分类：网络设备

    • 发布日期：2018-10-09
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：weixin_43349537

  1. F5 201考试资料

  2. The purpose of this guide is to help you prepare for the F5 201 - TMOS Administration exam.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-10-10
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：hikkizsp

  1. 尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

  2. 低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成，为了降低导通电阻，同时不降低器件其他性能，如漏源击穿电压，最直接的办法是减少相邻元胞的间距，在相同的面积下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了沟槽式接触概念以及突起式多晶硅结构来克服由尺寸缩小引发的沟道穿通效应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：269kb
    • 提供者：weixin_38514501