基于自行开发的具有2.5 mm栅宽技术的AlGaN / GaN HEMT在SiC衬底上，制造了X波段GaN组合固态功率放大器模块，该模块由AlGaN / GaN HEMT，Wilkinson功率耦合器，直流偏置电路和微带线。对于每个放大器，我们使用双极性直流电源。在输入和输出处使用特殊的RC网络，以及在直流电源和输入的晶体管栅极之间使用一个电阻器来消除自激振荡和串扰